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eePower Asia 2025:使用低壓 eGaN FETs 提升高壓伺服器電源的功率密度

eePower Asia 2025:使用低壓 eGaN FETs 提升高壓伺服器電源的功率密度

2025年5月27日 北京时间上午10:15 – 10:35 线上

演讲者:黄培成,现场应用工程师,EPC

由EETimes China赞助

由于人工智能的进步,数据中心对电力的需求不断增加,这推动了对更高功率密度和效率的转换器的需求。这些转换器通常包括两个阶段:功率因数校正(PFC)电路和隔离型直流-直流转换器。PFC从240 VAC的供电电压运行,并生成400 VDC的总线。直流-直流阶段将电压降至50 V,同时提供隔离。此外,这种电源还必须符合Open Compute ORV3标准最近发布的要求,并适应特定的外形尺寸和尺寸。

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主要磨損機制負責蕭特基型 pGaN 閘極以及在 GaN HEMTs 中的第一原理壽命建模

主要磨損機制負責蕭特基型 pGaN 閘極以及在 GaN HEMTs 中的第一原理壽命建模

2025年復合半導體週

2025年5月30日 班夫,亞伯達省

演講者:張勝科 博士

本文研究了Schottky型pGaN閘極高電子遷移率晶體管(HEMTs)的主要磨損機制。利用實驗數據和基於物理的見解,開發了一個基於第一原理的壽命模型,該模型能夠準確預測在各種應力條件下的閘極磨損。所提出的模型能夠精確預測汽車和工業系統等要求苛刻的應用中功率GaN HEMTs的可靠性。結果與加速壽命測試強烈相關,為設備資格認證和壽命保證提供了一個堅固的框架。

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網絡研討會:最大效率與功率 – 氮化鎵技術

網絡研討會:最大效率與功率 – 氮化鎵技術

2025年6月5日 上午10:00 CDT 線上

在日益追求能源的世界中,對於高效與緊湊的電源解決方案的需求從未如此迫切。加入我們的洞察會議,了解EPC的最新GaN技術如何與Analog Devices的專用GaN控制器結合,設定高性能電源轉換的新標準。

我們將介紹一系列聯合參考設計,這些設計提供前所未有的功率輸出、熱效率和板空間節省——非常適合用於AI伺服器、工業機器人和先進的DC-DC轉換應用。無論您是在設計緊湊尺寸、降低損耗還是加快切換速度,這都將為您提供實用的見解和現成的解決方案。

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