Google及美國電氣電子工程師學會(IEEE)聯手舉辦「Little Box Challenge」挑戰賽,目的鼓勵工程師開發出更細小的功率逆變器,獎項爲一百萬美元。由於氮化鎵場效應晶體管 (eGaN® FET)的尺寸細小幷具有可處理高功率功能及超快開關速度,因此它是這種應用的理想電晶體。

爲什麽使用氮化鎵器件?

  • 更高開關頻率 –電容及電感可减慢電晶體的開關速度。由於具有橫向結構的氮化鎵場效應電晶體的尺寸細小,因此具有超低電容,同時該器件使用具有低電感的LGA封裝,使得它可實現前所未有的開關性能,無論是在速度、電壓過沖及振鈴方面。此外,零QRR在高頻時可减低功耗。
  • 更低功耗 - 氮化鎵場效應電晶體的開關性能可實現更高功率密度、更高頻率、更高開關精度、更高總綫電壓及更少電壓 overhead。
  • 尺寸更小 – 氮化鎵是一種寬頻隙器件,與傳統矽電晶體相比,具優越的傳導性能,使得器件在相同的導通電阻下(RDS(on)).器件的尺寸可以更細小及具更低電容。

如何使用氮化鎵器件?

  • 多級逆變器的概念
    • 多級逆變器使用200 V EPC2010氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)
    • 逆變器在150 KHz時的效率估值爲98%

  • 應用筆記 - 支持光伏(PV)逆變器應用的氮化鎵場效應電晶體
  • 如何使用氮化鎵研討會 - 宜普電源轉換公司的「如何使用氮化鎵」教程系列專爲工程師加快學習氮化鎵技術的速度而設。我們探討在理論上及真實世界應用中如何使用氮化鎵功率電晶體。
  • 裝配技術資源 - 宜普電源轉換公司的氮化鎵場效應電晶體使用晶片級LGA封裝,可减少占板面積、集散電感及寄生阻抗。 這些資源討論如何可靠地把這些使用LGA封裝的電晶體裝配到印刷電路板上。
  • 以折扣價購買樣片 - 客戶可以特別優惠價購買在應用筆記內所列出的200 V氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)。