於無刷式直流伺服馬達，採用矽器件與採用氮化鎵場效應電晶體的功率逆變器的比較 Posted 2014年3月4日 由於德國航空太空中心的機械人及機械電子研究院（Robotics and Mechatronics Institute ）對改善感測器及功率電子的興趣很大，我們利用開發全新機械人的機會來評估宜普電源轉換公司（EPC）的全新增強型氮化鎵場效應電晶體技術並與我們目前最優秀的逆變器設計進行比較。 雜誌 ：Bodo’s Power Systems 作者：德國航空太空中心 (DLR) Robin Gruber 日期：2014年3月 相關的熱門文章 高頻功率轉換器件的封裝的考慮因素 eGaN FETs Enable More Than 4-kW/in3 Power Density for 48 V to 12 V Power Conversion GaN ePower Stage ICs Bring Logic-In, Power-Out Simplicity to Motor Drive Applications Low-Voltage GaN FETs in Motor Control Application; Issues and Advantages: A Review Evaluation of measurement techniques for high speed GaN transistors