WiGaN: 利用氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）支持在高頻工作的硬開關轉換器應用 Posted 2014年8月19日 本章展示在10 MHz频率開關、採用氮化鎵場效應電晶體的硬開關降壓轉換器的結果及提供轉換器功耗的細數。此外，我們將展示採用氮化鎵場效應電晶體的轉換器目前所取得無可匹敵的高頻性能及如果要推動器件工作在更高頻率時所面對的限制。 EEWeb 作者：Alex Lidow 2014年8月 相關的熱門文章 How to GaN: Generation 4 eGaN FETs – Widening the Performance Gap with the Aging MOSFET 如何使用氮化鎵：支援高頻開關的氮化鎵場效應電晶體（eGaN® FET） 基於氮化鎵元件的功率轉換解決方案著眼於下一代應用 Podcast: EPC’s Progress in GaN Reliability in RadHard and New Space Applications GaN’s Evolution from Science Project to Mainstream Power Conductor