EPC2105氮化鎵半橋元件爲系統設計師提供更高效及具有更高功率密度的解决方案--推動48 V轉至12 V幷在300kHz頻率下開關的全降壓型轉換器系統可以在10 A輸出電流時實現高達接近98%效率，以及推動48 V轉至1 V幷在300kHz頻率下開關的全降壓型轉換器系統可以在14 A輸出電流時實現84%效率。
宜普電源轉換公司宣佈推出80 V增强型單片式半橋氮化鎵電晶體（EPC2105）。透過整合兩個eGaN®功率場效應電晶體而成爲單個元件，可以除去互連電感及印刷電路板上的空隙、提高效率（尤其是在更高頻率時）及提高功率密度幷同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。EPC2105最理想應用於高頻直流-直流轉換及推動從48 V直接轉至1 V系統負載的高效單級轉換應用。
在EPC2105整合式半橋元件內的每一個元件的額定電壓是80 V。上面的場效應電晶體的導通電阻（RDS(on)）典型值是10 mΩ，下面的場效應電晶體的導通電阻典型值是2.3 mΩ。 高側場效應電晶體的尺寸大約是低側元件的四分之一，使得元件在具有高VIN/VOUT比的降壓轉換器中可實現最佳直流-直流轉換效率。EPC2105使用晶片尺寸封裝以改善開關速度及散熱性能。其尺寸只是6.05 毫米x 2.3 毫米，功率密度更高。
開發板
EPC9041是一塊2英寸x1.5英寸的開發板，包含一個EPC2105整合式半橋元件，內含德州儀器栅極驅動器（LM5113）、電源及旁路電容。電路板的版圖設計可實現最佳開關性能幷設有多個探孔，使用戶容易測量簡單波形及計算效率。
價格及供貨詳情
批量購買1000個EPC2105單片式半橋元件的單價爲$7.17美元。EPC9041開發板的單價爲$137.75美元。以上兩個産品已經有現貨供應，可透過Digikey公司（https://www.digikey.tw/zh/supplier-centers/epc）購買。
關於氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的設計信息及支持
宜普電源轉換公司簡介
宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器、 無線電源傳送、 波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術（LiDAR） 及 D類音訊放大器等應用，器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw 。
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商標
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。
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