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如何測量世界上速度最快的電源開關
Posted 2014年11月13日
氮化鎵（GaN）場效應電晶體隨時準備在電壓調節器及直流-直流電源應用替代矽功率元件。 與矽MOSFET元件相比，氮化鎵電晶體的開關速度快很多及具有更低的導通電阻（RDS(on)），從而可以實現具有更高功效的功率電源，對我們來說是好的。如果你正在使用氮化鎵元件設計功率電路，你必需理解元件的開關速度。
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