支持5G技術的 基站結構並極具潜力的半導體解決方案 Posted 2015年7月20日 由於PAPR比率在5G技術中會變差，氮化鎵(eGaN)技術被認爲是支持5G技術的基站結構在功效方面的最重要解決方案，而氮化鎵功率電晶體已經實現了波峰跟蹤應用，我們並預期在未來的3至5年之間，當氮化鎵技術繼續發展，市場將會有更多的新興應用陸續出現。 EDN Steve Taranovich 2015年7月17日 閱讀文章 相關的熱門文章 GaN’s Evolution from Science Project to Mainstream Power Conductor CES 2022: GaN Technology for the Next Future 無線電源線上硏討會：為什麼氮化鎵元件在符合AirFuel標準的共振式無線電源應用中，可以提升效率、縮小尺寸及降低成本？ 功率半導體戰爭開始了 PCIM Europe – where power is at the core of innovation