宜普電源轉換公司（EPC）的全新開發板幫助功率系統設計師容易並且快速地 對應用於E類放大器、電流模式D類放大器及push-pull轉換器的200 V氮化鎵電晶體進行評估，其工作效率可以高達30 MHz。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出高頻、基於氮化鎵電晶體並採用差分模式的開發板，可以在高達30 MHz下工作。 推出開發板的目的是幫助功率系統設計師利用簡易方法對氮化鎵電晶體的優越性能進行評估，使得他們的產品可以快速量產。

這些開發板專為諸如無線充電、採用E類放大器的應用而設，而且也可以支援採用低側開關的應用，例如push-pull轉換器、採用電流模式的D類放大器、共源雙向開關及諸如LiDAR應用的通用高壓短脈寬應用。

這些開發板內含具有200 V額定電壓的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）。這些放大器被設計為工作在差分模式，也可再被配置而工作在單端模式，而且包含閘極驅動器及邏輯電源穩壓器。

這三塊開發板有共同的參數選擇及規格，其工作負載條件包括配置可以決定最優的負載電壓及電阻。以下的表格展示出每一塊開發板的各個元件的參數。