EPC公司的第七階段可靠性報告表明eGaN^®FET非常可靠，為工程師提供可信賴及可 替代採用傳統矽基元件的解決方案。

宜普電源轉換公司宜普電源轉換公司發佈第七階段可靠性測試報告，展示出在累計超過170億元件-小時的測試後的現場數據的分佈結果，以及提供在累計超過700萬元件-小時的應力測試後的詳盡數據。各種應力測試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度迴圈及靜電放電等測試。報告提供受測產品的複合0.24 FIT失效率的現場數據。這個數值與我們直至目前為止所取得的現場評估的結果是一致的，證明在商業化的功率開關應用中，eGaN FET已經準備好可以替代日益老化的等效矽基元件。

宜普電源轉換公司首席執行長及共同創始人Alex Lidow說：「要能驗證全新技術的可靠性是一個重大的挑戰。EPC非常重視所有產品的可靠性。本階段的測試結果及報告表明，由於EPC的氮化鎵產品具備必備的可靠性，因此是替代矽基技術的首選半導體元件。」

本報告闡述我們對eGaN FET進行廣泛的應力測試的結果。這些測試同樣是對矽基功率MOSFET進行的典型測試方法，以證明eGaN FET在各種應力測試下，可否符合JEDEC的最新標準。各種測試包括：

• 高溫反向偏置(HTRB)
• 高溫閘極偏置(HTGB)
• 溫度循環/迴圈(TC)
• 高溫高濕反向偏置(H3TRB)
• 早期壽命失效率(ELFR)
• 間歇工作壽命(IOL)

EPC公司持續地對元件進行廣泛的測試。結果表明，各種元件的固有技術及所具備的環保優勢都是可信賴的。第一至第七階段的可靠性測試報告可以在我們的網站找到，網址是www.epc-co.com.tw。

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增强型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商，爲首家公司推出替代功率MOSFET元件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器、 無線電源傳送、 波峰追蹤、射頻傳送、功率逆變器、 光學遙感技術（LiDAR） 及 D類音訊放大器等應用，元件性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站，網址爲www.epc-co.com.tw 。

商標

eGaN^® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

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Winnie Wong ( [email protected])