本系列的第四章中，我們探討了採用晶圓級晶片尺寸封裝的eGaN元件的熱機械可靠性。同樣重要的是，我們需要瞭解有閘極偏置時，元件有可能發生的故障模式。本章探討氮化鎵（GaN）場效應電晶體的閘極在偏置電壓時失效的物理原因。我們把eGaN FET的閘極控制電壓提升至特定的最大極限值和極限值以上，從而分析該元件在失效前的性能。

Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年11月29日
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