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宜普電源轉換公司(EPC)宣佈位於美國維吉尼亞州Blacksburg的eGaN FET及 IC應用中心落成啟用並聘任Suvankar Biswas博士為高級應用工程師

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈位於美國維吉尼亞州Blacksburg的eGaN FET及 IC應用中心落成啟用並聘任Suvankar Biswas博士為高級應用工程師

為了進一步擴大eGaN FET及IC的應用範圍、加大研發力度及幫助客戶使用eGaN®FET及IC並對元件進行評估,宜普公司宣佈Blacksburg應用中心落成啟用及聘任Suvankar Biswas博士為高級應用工程師。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈位於美國維吉尼亞州(Virginia)的Blacksburg應用中心落成。該中心進一步支持增強型氮化鎵電晶體及積體電路的研發及應用,從而擴大潛在市場的覆蓋率。除了基於傳統的場效應電晶體及積體電路的功率轉換應用外,氮化鎵技術推動新興應用的出現,包括無線電源傳輸、應用於全自動駕駛車的雷射雷達技術及支援4G和5G通訊標準的 波峰追蹤應用。

為了支持應用中心的運作,EPC公司聘任Suvankar Biswas博士為高級應用工程師。Biswas博士的工作經驗包括面向整合式光伏模組的轉換器拓撲、並網逆變器及存儲。此外,他的研發經驗包括在移動設備面向能量收集的電力電子電路與整合的研發工作、面向移動平臺系統的分散式功率架構、混合動力車輛和它與Smart Grid的互聯等研發工作。他是IEEE會員,曾發表多篇經過同儕審查的文章。Biswas博士從Indian Institute of Technology Kharagpur獲得電機工程學的學士學位,並從University of Minnesota獲得博士學位。

EPC公司首席執行長兼共同創辦人Alex Lidow博士稱:「我們致力於開發及設計基於eGaN技術的解決方案並展示eGaN電晶體的性能比MOSFET及LDMOS優越。Blacksburg應用中心的落成成為我們持續擴大與客戶的夥伴關係的一個重要里程碑。我們非常高興Biswas博士在基於氮化鎵技術的解決方案正在快速普及之時加入我們的團隊。」

Blacksburg應用中心將繼續開發應用並提供就業機會,詳情請留意EPC網站

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增强型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商,爲首家公司推出替代功率MOSFET元件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括直流-直流轉換器無線電源傳送波峰追蹤、射頻傳送、功率逆變器光學遙感技術(LiDAR)D類音訊放大器等應用,元件性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站,網址爲www.epc-co.com.tw

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

傳媒聯絡

Winnie Wong ( [email protected])