EPC2111氮化鎵半橋功率電晶體説明系統設計師實現具更高效率的負載點系統應用，在14 A、12 V轉至1.8 V、5 MHz開關時實現超過85%效率，及在10 MHz開關時實現超過80%效率。
宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出30 V的增強型單片式半橋氮化鎵電晶體（EPC2111）。透過整合兩個eGaN®功率場效應電晶體形成單個元件，可以去除互連電感及節省印刷電路板上元件之間的空隙。這樣可以提高效率（尤其是在更高頻率時）及提高功率密度，而且同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。EPC2111是高頻12 V轉至負載點DC/DC轉換的理想元件。
在EPC2111半橋電晶體內的每一個元件的額定電壓是30 V。 上面的場效應電晶體的導通電阻（RDS(on)）典型值是14 mΩ，下面的場效應電晶體的導通電阻典型值是6 mΩ。EPC2111使用晶片級封裝，可以改善開關速度及散熱性能。其尺寸只是3.5 毫米(mm) x 1.5 毫米，功率密度更高。
EPC2111的其中一個主要應用是筆記型電腦及平板電腦運算。在這些系統內，功率轉換電路的佔板面積差不多是50%，而且決定主機板的厚度。氮化鎵電晶體的高頻性能縮小功率轉換所需的佔板面積，因此大大縮小下一代行動電話運算系统的尺寸。
價格及供貨
EPC2111單片式半橋元件的價格在一千批量時的單價為$1.62美元，可透過Digikey公司購買，網址為http://www.digikey.tw/zh/supplier-centers/e/epc?WT.z_cid=sp_917_supplier。
宜普電源轉換公司簡介
宜普電源轉換公司是基於增强型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商，爲首家公司推出替代功率MOSFET元件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器、 無線電源傳送、 波峰追蹤、射頻傳送、功率逆變器、 光學遙感技術（LiDAR） 及 D類音訊放大器等應用，元件性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站，網址爲www.epc-co.com.tw 。
商標
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。
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