增強型氮化鎵功率元件的耐輻射性能 Posted 2020年7月6日 增強型氮化鎵(eGaN®)技術使能新一代功率轉換器,讓轉換器能夠在更高的頻率、更高的效率和前所未有的高功率密度下工作。 與矽MOSFET元件相比,eGaN元件還具有更優越的耐輻射性能。 Bodo’s Power Systems 2020年7月 閱讀全文 相關的熱門文章 GaN in Space GaN Powers Small Satellites eGaN FETs Enable More Than 4-kW/in3 Power Density for 48 V to 12 V Power Conversion Next-Generation GaN Technology Doubles Power Density Dispelling Myths: Don’t believe it when they say you need a bipolar gate drive for eGaN FETs