就像生活要面對現實一樣，老年人離開舞臺而讓位給年輕人，矽元件也是需要向現實低頭。 隨著氮化鎵元件的問世和普及，正逐步淘汰舊有可靠的矽元件。 在過去的四十年中，隨著功率MOSFET元件的結構、技術和電路拓撲的創新與不斷增長的電力需求同步發展，電源管理的效率和成本一直以來得以穩步改善。 但是，在業界發展的新時代，隨著矽功率MOSFET元件接近其理論極限，其演進速度下降了很多。 同時，新材料氮化鎵的理論性能極限穩步發展，其性能極限比老化的MOSFET元件高出6,000倍，並且比目前市場上最好的氮化鎵產品高出300倍。

EEWeb
2020年7 月16日
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