面向電池供電的馬達控制應用並基於氮化鎵ePower功率級積體電路的逆變器 Posted 2021年4月1日 氮化鎵電晶體和積體電路通過消除輸入濾波器中的電解電容，以提高馬達控制應用的功率密度。氮化鎵元件的卓越開關性能可消除死區時間且實現無與倫比的正弦電壓和電流波形，從而實現更平滑且沒有雜訊的操作。 Bodo’s Power Systems 2021年4月 閱讀文章 相關的熱門文章 Product roundup: GaN power semiconductors gain traction Using GaN FETs can be as simple as using Silicon FETs – an example in 48V systems 氮化鎵元件緩解了矽元件的問題 How to Integrate GaN Power Stages for Efficient Battery-Powered BLDC Motor Propulsion Systems Dispelling Myths: Don’t believe it when they say you need a bipolar gate drive for eGaN FETs