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宜普電源轉換公司的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)榮獲今日電子雜誌十大電源產品技術突破獎

宜普電源轉換公司(www.epc-co.com)宣佈EPC9102榮獲今日電子雜誌十大電源產品技術突破獎 。

EPC9102 是一個全功能八分之一磚式轉換器演示板。這塊電路板是一個36 V- 60 V 輸入、12 V輸出、375 KHz相移全橋式 (PSFB) 八分之一磚式轉換器, 最大輸出電流為17A。EPC9102演示板展示了基於氮化鎵場效應電晶體的直流-直流轉換器可幫助工程師在業界基準砖式轉換器的外形尺寸限制下提高輸出功率及功率密度。

宜普電源轉換公司首席執行官Alex Lidow說非常榮幸EPC9102獲得今日電子雜誌頒發十大電源產品技術突破獎 。相比等效商用八分之一磚式直流-直流轉換器,EPC9102可以在高出大約50%至100%的的工作頻率下实现優異性能。這是一個例證客戶為何採用宜普的一系列高性能氮化鎵場效應電晶體,並作為矽MOSFET的替代產品。

今日電子是領導業界的電子雜誌,二零一二年十大電源獎的評選規則包括產品在技術或應用方面取得顯著進步、具有開創性的設計或在性價比方面顯著提高。頒獎典禮在九月二十日於該雜誌主辦的北京電源研討會舉行。

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的电源管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰追踪、射頻傳送、以太網供電、微型逆變器、高效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw。

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商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

媒體聯絡人

Winnie Wong ([email protected])