德州儀器推出的國半LM5113 驅動器榮獲美國電子產品雜誌(Electronic Products)之年度最佳產品獎。該著名行業雜誌的讀者皆為電子設計工程師,經過編輯評審過千於2011年發佈的產品,選出在以下各方面表現優勝的產品：創新設計、在技術或應用方面取得重大發展及具成本和性能超卓優勢。

德州儀器推出業界首款針對增強型氮化鎵（GaN）功率場效應電晶體（FET）而優化的驅動器。與標準金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)相比，由於具有較低的導通電阻(RDS(ON))、閘極電荷(QG)以及超小的體積,增強型GaN FET可以實現更高的效率和功率密度，但是要可靠地驅動這類器件也面臨著新的重大挑戰。國半的LM5113驅動積體電路化解了這些挑戰, 使電源設計人員能夠在各種流行的電源拓撲結構中發揮GaN FET的優勢。

“我們衷心祝賀德州儀器榮獲這個殊榮。LM5113橋式驅動器為設計工程師提供一個確實的plug & play解決方案，加速業界採用eGaN ®FET及其普及化。LM5113釋放了eGaN FET的效能優勢，幫助設計工程師實現電源及系統密度方面的全新性能基準。”宜普電源轉換公司首席執行長Alex Lidow 說。

http://www2.electronicproducts.com/Driving_GaN_FETs_becomes_reality-article-poypo_TI_NatSemi_jan2012-html.aspx