EPC2007採用符合RoHS (有害物質限制) 條例要求的無鉛封裝，以增強其高頻開關性能。
宜普電源轉換公司(www.epc-co.com )宣佈推出第二代增強性能氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)系列中的最新成員——EPC2007。EPC2007具有環保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質限制)條例要求。
EPC2007 FET是一款面積為1.87平方毫米的100VDS及6V元件，當閘極電壓為6V 時， RDS (ON) 最大值是30mΩ。與前代EPC1007元件相比，新一代EPC2007元件具有明顯更高的性能優勢 — — 其性能在更低閘極電壓時得到全面增強，並且具有更好的抗快速開關瞬變性能。
與具有相同導通電阻的先進矽功率MOSFET相比，EPC2007體積小很多，而開關性能卻高出許多倍。受益于eGaN FET性能的應用包括硬開關和高頻電路，例如隔離DC/DC電源、負載點轉換器及D類音頻放大器。
“我們最新推出的EPC2007產品進一步擴大業界領先的增強型氮化鎵(eGaN®) 場效應電晶體產品系列範圍。與矽基MOSFET相比，電源設計工程師可利用EPC2007提高電源轉換系統效率及縮小系統尺寸。” 共同創始人兼首席執行長Alex Lidow表示。
EPC2007在一千批量時其單價為1.31美元，客戶可以透過DigiKey公司在網上購買，網址為http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en 。
技術支援
EPC2007 eGaN FET應用手冊詳細列明其增強了的性能，網址為 http://epc-co.com/epc/documents/product-training/Characteristics_of_Second_Generation_eGaN_FETs.pdf
表1：EPC2007指標額定值總結
宜普公司簡介
宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括伺服器、上網本、筆記型電腦、LED照明、手機、基站、微型逆變器及D類音頻放大器，元件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw。
商標
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。
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