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加快eGaN 發展,EPC稱矽FET已走到盡頭
Posted 2012年4月9日
eGaN® FET 的高性能正在更快地被DC/DC 電源轉換、負載點轉換器、D類音訊放大器及高頻電路等應用採用,而TI推出業界首款100V半橋GaN FET驅動器(LM5113),經過優化,配合氮化鎵場效應電晶體使用,則更進一步推動eGaN FET在高性能電信、網路以及數據通信中心的應用。
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電子設計技術(2012年4月書刊)
EDN 電子雜誌2012年第04期