採用具備高頻開關性能的氮化鎵功率電晶體的EPC9106 D類音頻放大器參考設計展示出可以提升效率、縮减尺寸及省去散熱器之同時可以實現針對專業級消費者所要求的高音質。
宜普電源轉換公司（EPC）推出的150 W、8 Ω D類音頻放大器參考設計（EPC9106）採用 Bridge-Tied-Load (BTL)設計，包含四個接地的半橋輸出功率級電路，使得設計可以升級及擴展。在這個基於氮化鎵場效應電晶體的系統中，我們把所有會影響D類音頻系統的音質的元素减至最少或完全去除。
根據Intersil公司的D2 Audio的共同創辦人兼前任CTO Skip Taylor博士所說：「eGaN FET的功率級準確地以高功率複製D類脉寬調製（PWM）信號並具有超高綫性度。由於這樣高的綫性度减少了所需的大量反饋，因此可以實現最佳音質，從而提供清晰、清脆的中頻及高頻，以及緊緻、堅實的低頻音質。」
EPC9106 演示板的特點是採用EPC2016eGaN FET並配備了專爲eGaN FET而設的德州儀器公司的閘極驅動器（LM5113）。該演示板展示了由於eGaN FET具備高頻開關性能，因此小型尺寸也可以實現高音質效果。以此高效的優勢，EPC9106演示板的設計可以省去散熱器、减低有可能導致EMI/EMC輻射排放的機會及降低系統的整體成本。
EPC9106演示板的電源模組在極緊凑的佈局上（2.1 毫米 x 1.6 毫米）已包含氮化鎵場效應電晶體、驅動器、電感及輸入/輸出電容。 EPC9106參考設計的尺寸雖小，在150 W、8 Ω下可以實現96%效率，而在250 W、4 Ω下可以實現92%效率。
EPC9106演示板的單價爲1,338美元,可立即透過Digi-key公司購買。
氮化鎵場效應電晶體的設計資訊及技術支援
宜普電源轉換公司簡介
宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN®)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器、 無線電源傳送、 波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術（LiDAR） 及 D類音訊放大器等應用，器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw 。
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eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。
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