EPC分享由專家製作的關於終端應用的6個影片，例如無綫電源傳送、48 V–1 V DC/DC單級轉換，以及採用氮化鎵電晶體及集成電路、面向4G/LTE基站的波峰追蹤等應用。

宜普電源轉換公司製作了6個影片，於網上分享採用eGaN^® FET及集成電路（IC）並面向最終用戶的應用。這些影片展示出氮化鎵技術如何改變了我們的生活方式及挑戰功率系統設計工程師如何在他們的新一代功率系統設計中，發揮氮化鎵場效應電晶體的卓越性能。

關於在各種應用採用氮化鎵電晶體的影片包括：

1. 從EPC公司於2016年APEC研討會上演示的應用可以看到，eGaN技術的出現，改變了我們的生活方式
Alex Lidow在本影片與工程師分享超過十多種基於eGaN FET及集成電路的應用，包括48 V–負載點 DC/DC轉換、無綫電源傳送、LiDAR及波峰追蹤等應用。

2. 面向無綫電源傳送應用的eGaN技術
eGaN產品已經廣泛地被應用於各種無綫電源傳送系統，包括多模式系統。本影片展示出如何於各種應用發揮eGaN產品的優勢。除了展示EPC公司的解決方案外，我們也與工程師分享多個客戶應用於無綫電源的最終產品，包括Witricity、Solace Power及 Gill Electronics等。

3. 面向LiDAR應用的eGaN FET
光學遙感技術（LiDAR）在需要更快速形成三維圖像及更高準確度的應用中日益受歡迎，例如全自動駕駛車輛的導航及擴增實景（AR）系統。本影片展示由於eGaN FET具備超短速的轉換時間（數百 picosecond）,因此可以實現大電流脉衝。

4. 面向波峰追蹤應用的eGaN FET
波峰追蹤技術可以使得通信基站的效率倍增，以及延長採用4G及5G標準的移動電話的通話時間。我們在本影片展示面向波峰追蹤應用、60 W、20 MHz頻寬、4相、與LTE相容、基於eGaN FET及具備超快速性能的演示板。

5. 面向48 V–POL DC/DC轉換的eGaN FET、集成電路及模組
重新考慮採用氮化鎵技術的伺服器功率結構。 氮化鎵技術可以省卻目前所需的12 V中間總綫轉換器（IBC）而同時提高電源使用效率（PUE）。本影片展示1）採用TI的基於氮化鎵的模組在40 A時可實現單級轉換（從48 V直接轉換到1 V）；及2）採用eGaN集成電路在20 A時可實現從48 V直接轉換到1.8 V的硬開關降壓轉換器。

6. 利用eGaN技術、1/8磚式DOSA外形設計實現700 W DCX DC/DC轉換
本影片展示使用1/8磚式 DC/DC轉換器尺寸、以DCX模式操作的700 W DC/DC轉換器。我們可以看到，由於eGaN FET具備卓越的開關特性、散熱性能及小尺寸等優勢，因此eGaN FET可以在DOSA標準的磚式佔板面積上實現更高的功率密度。

宜普電源轉換公司首席執行長及共同創始人Alex Lidow說道：「這個精簡影片系列爲工程師介紹由高性能氮化鎵場效應電晶體及集成電路推動並面向最終用戶的應用，旨在幫助具備創新和前瞻性思維的功率系統設計工程師如何發揮氮化鎵產品的優勢，點亮氮化鎵創新之路。」

學習網

以上的氮化鎵應用影片可以在EPC影片庫或EPC YouTube找到。

關於講者

講者包括Alex Lidow、Michael DeRooij、David Reusch、John Glaser及Yuanzhe Zhang博士，他們都是EPC公司的應用工程人員，在功率電晶體設計及應用方面共同擁有超過75年的相關經驗。他們都擁有理學博士學位及在新興的氮化鎵電晶體及集成電路技術方面擁有實戰經驗。

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增强型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商，爲首家公司推出替代功率MOSFET元件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器、 無線電源傳送、 波峰追蹤、射頻傳送、功率逆變器、 光學遙感技術（LiDAR） 及 D類音訊放大器等應用，元件性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站，網址爲www.e