從氮化鎵元件的行為確定其性能的模型 Posted 2022年5月2日 氮化鎵場效應電晶體和積體電路的用戶現在有了一個工具來確定應用中需要的降額和降額設計中應考慮的因素。宜普公司開發了一個基于第一原理的物理模型,以解釋氮化鎵電晶體在硬開關時,導通電阻如何上升。本文提供了兩個同步整流應用實例的演示。 Electronic Specifier 2022年5月 閱讀文章 相關的熱門文章 eGaN FETs Enable More Than 4-kW/in3 Power Density for 48 V to 12 V Power Conversion Power Bricks Get an Efficiency Boost with GaN 採用 eGaN FET 的高效、高密度1/8 磚 1 kW LLC 諧振轉換器 GaN-based Design of a 2 kW 48 V/12 V Bi-directional Power Module for 48 V Mild Hybrid Electric Vehicles Bi-directional power module for 48 V mild hybrid electric vehicles