氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）與矽功率器件比拼第十三章、第一部分：寄生電感對採用不同器件的轉換器在性能方面的影響

Posted 2013年3月5日

作者：宜普公司產品應用總監David Reusch博士

在不同的應用裡與矽MOSFET器件相比，增強型氮化鎵基電源器件如氮化鎵場效應電晶體展示了它可以實現更高效及更高開關頻率的性能。氮化鎵場效應電晶體具備改善了的開關品質因數，因此封裝及印刷電路板版圖的寄生電感對性能的影響非常重要。在本章及本部分我們將討論在負載點降壓轉換器的應用（工作於開關頻率為1 MHz、輸入電壓為12 V、輸出電壓為1.2 V及輸出電流達20 A的條件下），寄生電感對基於氮化鎵場效應電晶體及MOSFET器件的轉換器在性能方面的影響。