如何使用氮化鎵器件:在高頻降壓轉換器使用氮化鎵場效應電晶體 Posted 2013年9月4日 在高頻降壓轉換器配備最優的版圖,使得在1MHz 頻率下開關時器件可實現96%以上的效率。 EEWeb 日期:2013年9月 作者:Alex Lidow 相關的熱門文章 The eGaN FET-Silicon Power Shoot-Out: Part 2 – Drivers, Layout Evaluation of measurement techniques for high speed GaN transistors 基於GaN技術的各種應用:決定功率管理市場的下一步走勢 APEC 2017:GaN技術已經準備好,即將改變我們的生活方式 針對伺服器應用的新興技術 - 六大熱門趨勢