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增強型氮化鎵場效應電晶體技術的領先供應商宜普電源轉換公司被評選為“電子工程專輯 Silicon 60”高新科技新創企業之一。這些公司是電子工程專輯的編輯團隊根據各公司所發展的技術、目標市場、成熟度、財政狀況、投資規模和行政人員的領導才能等多種考量標準而評選出來的。
宜普公司首席執行長Alex Lidow說非常榮幸被評選為最熱門的新興電子公司之一,及感謝電子工程專輯對宜普公司的評價為“一家值得闗注的新興企業”。
與先進的 矽功率MOSFET相比,宜普氮化鎵場效應電晶體的尺寸更小及器件的開關性能高出很多倍。受惠于氮化鎵場效應電晶體的增強性能的應用包括射頻波峰追踪、無線電源傳送、高效直流-直流電源、負載點轉換器及D類音頻放大器。宜普也發佈了氮化鎵技術的成本將低於矽功率MOSFET及可以替代日益受限、價值幾十億美元的功率MOSFET和IGBT市場的進程。
如欲取得宜普公司氮化鎵場效應電晶體產品系列的詳盡資料,請瀏覽 http://epc-co.com/epc/products/gan-fets-and-ics。
宜普公司簡介
宜普公司是基於增強型氮化鎵的电源管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰追踪、射頻傳送、以太網供電、微型逆變器、高效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw。
客戶在Twitter的網址 http://twitter.com/#!/EPC_CORP 及Facebook的网址http://www.facebook.com/EPC.Corporation 找到EPC,也可以在我們的網頁http://bit.ly/EPCupdates註冊,以定期收取EPC的最新產品資訊。
商標
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。
媒體聯絡人
Winnie Wong ([email protected])
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宜普電源轉換公司(www.epc-co.com)宣佈EPC9102榮獲今日電子雜誌十大電源產品技術突破獎 。
EPC9102 是一個全功能八分之一磚式轉換器演示板。這塊電路板是一個36 V- 60 V 輸入、12 V輸出、375 KHz相移全橋式 (PSFB) 八分之一磚式轉換器, 最大輸出電流為17A。EPC9102演示板展示了基於氮化鎵場效應電晶體的直流-直流轉換器可幫助工程師在業界基準砖式轉換器的外形尺寸限制下提高輸出功率及功率密度。
宜普電源轉換公司首席執行官Alex Lidow說非常榮幸EPC9102獲得今日電子雜誌頒發十大電源產品技術突破獎 。相比等效商用八分之一磚式直流-直流轉換器，EPC9102可以在高出大約50%至100%的的工作頻率下实现優異性能。這是一個例證客戶為何採用宜普的一系列高性能氮化鎵場效應電晶體，並作為矽MOSFET的替代產品。
今日電子是領導業界的電子雜誌,二零一二年十大電源獎的評選規則包括產品在技術或應用方面取得顯著進步、具有開創性的設計或在性價比方面顯著提高。頒獎典禮在九月二十日於該雜誌主辦的北京電源研討會舉行。
宜普公司簡介
宜普公司是基於增強型氮化鎵的电源管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰追踪、射頻傳送、以太網供電、微型逆變器、高效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw。
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氮化鎵場效應電晶體具有正溫度係數, 因而在安全工作區域的電壓及電流等條件的範圍下,它具有更卓越的性能而能夠解決矽MOSFET器件在性能上的限制。
宜普公司將發佈所有氮化鎵場效應電晶體在安全工作區域的資料。該器件具有正溫度系數, 因而在安全工作區域範圍內只有一個小區域受限於器件的平均溫度。
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宜普公司的氮化鎵場效應電晶體具卓越開關速度，為具非常高的共振頻率的無線電源傳送提高功率電子的效率
宜普宣佈推出一個高效無線電源展示系統，內含具高頻開關性能的氮化鎵電晶體。使用宜普的氮化鎵場效應電晶體是這種系統的一個理想解決方案，因為它所具備的性能可以在高頻、高壓及高功率情況下有效率地工作。
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EPC9102充分展示了EPC2001 eGaN FET及德州儀器LM5113 eGaN FET驅動器的組合所能達到的優異性能。
宜普電源轉換公司宣佈推出EPC9102演示板,這是一個全功能的八分之一磚轉換器演示板。這塊電路板就是一個36V-60V輸入、12V輸出、375kHz相移全橋(PSFB)式八分之一磚轉換器,最大輸出電流為17A。該演示板內含100V EPC2001 eGaN FET及德州儀器專為驅動eGaN FET而設的半橋柵極驅動器(LM5113)。
LM5113是業界首款能夠最佳驅動增強型氮化鎵FET、並且能夠充分發揮這種FET優勢的驅動器。EPC9102演示板展示了當eGaN FET配合德州儀器LM5113 eGaN FET驅動器,可以實現eGaN FET的高開關頻率性能。
這種轉換器的結構符合標準八分之一磚的外形尺寸和高度 (2.300" x 0.900" x 0.400")要求。儘管這個尺寸比較小,但整個電路板在36V輸入電壓、10A輸出電流條件下,可以達到94.8%的峰值功效。
EPC9102演示電路的設計用於展示使用eGaN FET在375kHz工作時、 能夠實現得到的尺寸和性能、 而設計本身並沒有針對最大輸出功率進行優化。其工作頻率大約比同類商用的八分之一磚直流-直流電源轉換器高出50%至100%。
EPC9102演示板的尺寸特別是過大的尺寸,這是方便電源系統設計工程師連接相關的評估平臺。演示板上有許多探測點,便於測量簡單波形和計算效率。EPC9102演示板可用在低環境溫度和強制空冷條件下的基準評估。
隨EPC9102演示板一起提供的,還有一份供使用者參考和易於使用的快速入門指南: http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9102_qsg.pdf。
EPC9102演示板單價為306.25美元,客戶可以透過DigiKey公司在網上購買,網址為: http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。
EPC eGaN FET 及德州儀器的LM5113 設計工具指南
eGaN FET 設計資訊及支援
宜普公司简介
宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰跟踪、乙太網供電、太陽能微型逆變器、能效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw 。
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Dr. Reusch will be creating benchmark power converter designs and assisting customers in the use of eGaN FETs® for high frequency, high performance power conversion systems
EL SEGUNDO, Calif.—May 2012 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) is proud to announce that Dr. David Reusch has joined the EPC engineering team as Director, Applications Engineering.
As a member of the EPC applications team, Dr. Reusch’s focus will be on designing lower loss and higher power density benchmark circuits that demonstrate the benefits of using gallium nitride transistors. His initial focus will be on their use in higher voltage DC-DC converters and resonant, soft-switching converters. Dr. Reusch’s research and experience in these applications will be shared with customers to accelerate their designs using high performance eGaN FETs. His designs will demonstrate GaN transistors’ superior performance over MOSFETs.
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EL SEGUNDO, Calif.—May, 2012 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) CEO Alex Lidow will speak at the private Credit Suisse investor conference in San Francisco on Tuesday, May 22, at 10:00 a.m. Pacific time. Dr. Lidow will discuss the growing market for gallium nitride transistors with a focus on EPC’s eGaN® FET technology and products. As a displacement technology, GaN FETs can be used in an array of current MOSFET applications in addition to enabling new high volume applications, such as wireless power and envelope tracking, a method for significant energy savings in communication devices.
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EL SEGUNDO, Calif. – April, 2012 - Efficient Power Conversion Corporation, (www.epc-co.com) the leader in enhancement mode gallium nitride FET technology, announces today that it has been recognized with inclusion in the EE Times Silicon 60 list of 60 Emerging Startups. Companies are selected by the editorial team at EE Times based on a mix of criteria including: technology, intended market, maturity, financial position, investment profile, and executive leadership.
"It is an honor to receive this recognition from EE Times as one of the hottest emerging electronics companies and as EE Times has noted, 'an emerging company worthy of tracking,'" commented Alex Lidow, CEO, Efficient Power Conversion Corporation.
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德州儀器公司發佈了一個全新應用於高密度電源轉換器、專門驅動MOSFET及氮化鎵場效應電晶體的低側閘極驅動器(LM5114)。 這個驅動器適用于一系列低侧應用,包括同步整流器及經過功率因數較正的轉換器。加上在2011年推出的業界第一個100V半橋氮化鎵場效應電晶體驅動器(LM5113),這個產品系列提供了完整的隔離DC/DC電源轉換驅動器解決方案,專門驅動應用於電信、網路及資料中心的具大功率輸出特性之氮化鎵場效應電晶體及MOSFET。請瀏覽www.ti.com/gan 以取得詳情、樣片和評估板的資料。
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這本由業界專家撰寫的“應用於高效電源轉換系統的氮化鎵電晶體”教科書,提供氮化鎵電晶體的科技理論和應用教材。
宜普電源轉換公司(www.epc-co.com)宣佈出版了旨在為電源系統設計工程師提供基本技術和應用資料,以怎樣利用基於氮化鎵的電晶體,設計出更高效的電源轉換系統。
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德州儀器推出的國半LM5113 驅動器榮獲美國電子產品雜誌(Electronic Products)之年度最佳產品獎。該著名行業雜誌的讀者皆為電子設計工程師,經過編輯評審過千於2011年發佈的產品,選出在以下各方面表現優勝的產品：創新設計、在技術或應用方面取得重大發展及具成本和性能超卓優勢。
德州儀器推出業界首款針對增強型氮化鎵（GaN）功率場效應電晶體（FET）而優化的驅動器。與標準金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)相比，由於具有較低的導通電阻(RDS(ON))、閘極電荷(QG)以及超小的體積,增強型GaN FET可以實現更高的效率和功率密度，但是要可靠地驅動這類器件也面臨著新的重大挑戰。國半的LM5113驅動積體電路化解了這些挑戰, 使電源設計人員能夠在各種流行的電源拓撲結構中發揮GaN FET的優勢。
“我們衷心祝賀德州儀器榮獲這個殊榮。LM5113橋式驅動器為設計工程師提供一個確實的plug & play解決方案，加速業界採用eGaN ®FET及其普及化。LM5113釋放了eGaN FET的效能優勢，幫助設計工程師實現電源及系統密度方面的全新性能基準。”宜普電源轉換公司首席執行長Alex Lidow 說。
http://www2.electronicproducts.com/Driving_GaN_FETs_becomes_reality-article-poypo_TI_NatSemi_jan2012-html.aspx
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EPC9101演示板使用具高頻開關優勢的eGaN功率電晶體,可減小降壓電源轉換器尺寸和提高效率
EPC9101是一款全功能的降壓電源轉換器演示電路，實現8V-19V輸入、1.2V電壓、18A最大電流輸出及1MHz降壓轉換器，使用的元件包括EPC2014和EPC2015 eGaN FET，並配合德州儀器公司最近推出的的100V半橋柵極驅動器（LM5113）。LM5113是業界首款專為增強型氮化鎵場效應電晶體而設計的驅動器。EPC9101演示高開關頻率eGaN FET與這個匹配的驅動器，可減小降壓電源轉換器尺寸和提高其性能。
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EPC has received ISO certification for the design, development, marketing and sales of gallium nitride power transistors and power management devices
EL SEGUNDO, Calif. – September 2011 - Efficient Power Conversion Corporation (www.epc-co.com) the leader in energy-efficient enhancement mode gallium nitride (eGaN®) power transistors used in power conversion applications, has received the International Organization for Standardization ISO 9001:2008 certification for its quality management system.
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EPC9006開發板可幫助設計工程師快速開發基於100V EPC2007的高頻開關型電源轉換系統。這是一種已製作好和易於連接的開發板，我們更備有完善歸檔的技術支援資料，可供用户使用。
宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC9006開發板，這種開發板能使使用者更方便地使用宜普100V增強型氮化鎵(eGaN®)場效應電晶體設計產品。受益于eGaN FET性能的應用包括高速DC/DC電源、負載點轉換器、D類音頻放大器、硬開關和高頻電路。
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EPC2007採用符合RoHS (有害物質限制) 條例要求的無鉛封裝，以增強其高頻開關性能。
宜普電源轉換公司(www.epc-co.com )宣佈推出第二代增強性能氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)系列中的最新成員——EPC2007。EPC2007具有環保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質限制)條例要求。
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EPC9005開發板可幫助設計工程師快速開發基於40V EPC2014的高頻開關型電源轉換系統。這是一種已製作好和易於連接的開發板， 我們更備有它的技術支援資料，並已完善歸檔。
宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC9005開發板，這種開發板能使使用者更方便地使用宜普40V增強型氮化鎵(eGaN®)場效應電晶體設計產品。受益于eGaN FET性能的應用包括高速DC/DC電源、負載點轉換器、D類音頻放大器、硬開關和高頻電路。
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2011年8月23日星期二
宜普電源轉換公司(EPC)推出第二代40V及16mΩ功率電晶體，進一步擴大其業界領先的增強型氮化鎵(eGaN®) 場效應電晶體產品系列範圍
EPC2014採用符合RoHS(有害物質限制)條例要求的無鉛封裝，以增強其高頻開關性能。
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EPC2012採用符合RoHS (有害物質限制) 條例的無鉛封裝，以增強其高頻開關性能。
宜普電源轉換公司(www.epc-co.com)宣佈推出第二代增強性能氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質限制)條例的要求。
EPC2012 FET是一款面積為1.6平方毫米的200VDS元件，RDS(ON)最大值是100mΩ，閘極電壓為5V。這種eGaN FET具有比第一代EPC1012 eGaN元件明顯更高的性能優勢。EPC2012的脈衝額定電流提高至15A(而EPC1012只有12A)，因此在較低閘極電壓時，其性能得以全面增強，而且由於提高了QGD/QGS比率，EPC2012還具有優異的dv/dt抗干擾性能。
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EPC9004開發板可幫助設計工程師快速開發基於200V EPC2012的高頻開關型電源轉換系統。這是一種已製作好及易於連接的開發板，並備有完善歸檔的技術支援資料。
宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC9004開發板，這種開發板能使客户更方便地使用宜普200V增強型氮化鎵(eGaN®)場效應電晶體設計產品，其應用範圍廣泛，如太陽能微型逆變器、D類音訊放大器、以太網供電(PoE)系統和同步整流器。
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