EL SEGUNDO, Calif.—  March 2023 – Efficient Power Conversion (EPC), the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride FETs and ICs, has teamed up with SHARGE Technology (SHARGE) to design a 67 W USB PD charger with a power display screen. The Retro 67 fast charger uses EPC’s 100 V GaN FET, EPC2218, which can deliver 231 A pulsed current in a tiny footprint of 3.5 mm x 1.95 mm offering designers a significantly smaller, more efficient device than silicon MOSFET for USB PD fast chargers.

EPC2218 provides SHARGE’s All-GaN fast charger with higher efficiency, state-of-the-art power density and lower system cost.

EPC的GaN專家將在其APEC展位展示各種應用所採用的最新一代GaN FET 和 IC。

宜普電源轉換公司(EPC)是增强型氮化鎵FET和IC領域的全球領導者，將於3月19日至23日在奧蘭多舉行的IEEE APEC 2023會議上發表多項技術演講，詳情請參閱下方時間表。此外，我們還會在奧蘭治縣會議中心的732號展位展示最新一代的 eGaN^®FET和IC，其應用範圍包括高功率密度計算、電動汽車、機器人、太陽能、電池充電等。歡迎蒞臨參觀“GaN之牆”,我們提供市場上最廣泛的氮化鎵功率半導體產品組合，可現成交付。

EPC推出EPC9177，這是一種基於eGaN^®IC的高功率密度、薄型DC/DC轉換器參考設計，可滿足新型USB PD 3.1對多端口充電器和主板上從28V~48V輸入電壓轉換至12 V或20 V輸出電壓的嚴格要求。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC9177，這是一款數位控制、單輸出同步降壓轉換器参考設計，工作在 720 kHz開關頻率，可轉換 48 V、36 V、28 V至稳壓12 V 輸出電壓，並提供可高達20 A的連續輸出電流。

宜普電源轉換公司(EPC)推出200 V、10 mΩ的EPC2307，完善了額定電壓為 100 V、150 V和200 V的6個GaN電晶體系列，提供更高的性能、更小的解決方案和易於設計的DC/DC轉換、AC/DC SMPS和充電器、太陽能優化器和微型逆變器，以及馬達控制器。

全球增强型氮化鎵FET和IC領導者EPC推出 200 V、10 mΩ的EPC2307，採用耐熱增强型QFN封裝，佔位面積僅為3 mm x 5 mm。

EPC推出80 V、通過AEC-Q101 認證的氮化鎵場效應電晶體（GaN FET）EPC2252，為設計人員提供比矽MOSFET更小和更高效的解決方案，用於車規級光達、48 V/12 V DC/DC轉換和低電感馬達控制器。

作為增强型氮化鎵 (eGaN^®)FET和IC的全球領導者，宜普電源轉換公司（EPC）進一步擴大已有現貨供應的車規級氮化鎵電晶體系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm封裝內提供75 A脉衝電流的EPC2252，比矽MOSFET更小和更高效，適用於自動駕駛和其他先進駕駛輔助系統應用中的車規級光達、48 V/12 V DC/DC轉換和低電感馬達控制器。

宜普電源轉換公司(EPC)推出新型氮化鎵積體電路EPC21701，這是一款 80 V雷射驅動器IC，可提供15 A脉衝電流，適用於飛行時間(ToF)光達應用，包括真空吸塵器、機器人、3D安全攝像頭和 3D感測器。

EPC 宣佈推出EPC21701，這是一款單晶片雷射驅動器，包含80 V、40 A FET、閘極驅動器和3.3邏輯電平輸入，用於飛行時間光達系統，包括用於機器人、監控系統和真空吸塵器。 它專為用於手勢識別、飛行時間 (ToF)測量、機器人視覺或工業安全的光達系統量身定制。

宜普電源轉換公司（EPC）和立錡科技（Richtek）携手推出新型快充參考設計，使用RT6190降壓-升壓控制器和氮化鎵場效應電晶體EPC2204，可實現超過98%的效率。

宜普電源轉換公司和立錡科技宣佈推出4開關雙向降壓-升壓控制器參考設計，可將12 V~24 V的輸入電壓轉換爲5 V~20 V的穩壓輸出電壓，並提供高達5 A的連續電流和6.5 A的最大電流。與高功率密度應用的傳統解決方案相比，新型RT6190控制器與EPC的超高效氮化鎵場效應電晶體EPC2204相結合，使得解決方案尺寸可縮小20%以上，而且在20 V和12 V輸出電壓下，可實現超過98%的效率。在不需使用散熱器和5 A連續電流下，20 V轉5 V的最大升溫低於攝氏15度，而12 V轉20 V的最高升溫則低於·攝氏55度。

Efficient Power Conversion (EPC) introduces the 150 V, 3 mΩ EPC2305 and the 200 V, 5 mΩ EPC2304 GaN FETs offering higher performance and smaller solution size and cost for DC-DC conversion, AC/DC SMPS and chargers, solar optimizers and microinverters, and motor drives.

EL SEGUNDO, Calif.— December 2022 — EPC, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride FETs and ICs, introduces the 150 V, 3 mΩ EPC2305 and the 200 V, 5 mΩ EPC2304 GaN FETs in a thermally enhanced QFN package with exposed top and tiny 3 mm x 5 mm footprint.

EPC introduces two new 80 V AEC-Q101 qualified GaN FETs, offering designers significantly smaller and more efficient solutions than silicon MOSFETs for automotive 48 V- 12 V DC-DC conversion, infotainment, and lidar for autonomous driving.

EL SEGUNDO, Calif. — November 2022 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride (eGaN^®) FETs and ICs, expands the selection of automotive, off-the-shelf gallium nitride transistors with the introduction of 80 V, 6 mΩ EPC2204A that delivers 125 A pulsed current in a 2.5 mm x 1.5 mm footprint and the 80 V, 3.2 mΩ EPC2218A that delivers 231 A pulsed current is a 3.5 mm x 1.95 mm footprint, offering designers significantly smaller and more efficient devices than silicon MOSFETs for automotive DC-DC for 48V-12V conversion, infotainment, and lidar for autonomous driving.

宜普電源轉換公司（EPC） 與世界先進積體電路股份有限公司（VIS） 攜手合作生產八吋氮化鎵晶圓，透過VIS高品質的製造能力，進一步强化EPC在氮化鎵功率轉換市場的領導地位。

發佈單位：宜普電源轉換公司、世界先進公司

發佈日期：111年12月6日

Efficient Power Conversion (EPC) introduces the 80 V, 4 mOhm EPC2619 GaN FET in tiny 1.5 mm x 2.5 mm footprint, offering higher performance and smaller solution size than traditional MOSFETs for high power density applications, including DC-DC conversion, motor drives, and synchronous rectification for 12 V – 20 V.

EL SEGUNDO, Calif.— November 2022 — EPC, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride (GaN) power FETs and ICs, launches the 80 V, 4 mOhm EPC2619. This is the lead product for a new generation of eGaN devices that have double the power density compared to EPC’s prior-generation products.

GaN FETs help Solarnative achieve industry-leading power density for solar microinverters, enabling module frame integration to solve the challenges of solar power installation.

EL SEGUNDO, Calif.— November 2022 Solarnative uses GaN devices in its new microinverter to achieve industry-best power density.  The Power Stick is the smallest inverter in the world, with dimensions of 23.9 by 23,2 by 404 millimeters. With an AC output power of 350 W, the volume of 0.19 liters corresponds to a power density of 1.6 kW per liter. By comparison, the IQ 7A microinverter from a market leading supplier delivers 349 watts with a volume of 1.12 liters, corresponding to 0.31 kW per liter – not even one-fifth of the Solarnative device. Despite the extreme size reduction, the European efficiencies are quite comparable, at 96.0 percent for the Power Stick and 96.5 percent for the IQ 7A.

宜普電源轉換公司 (EPC) 推出150 V、6 mΩ EPC2308 GaN FET，讓高功率密度應用實現更高的性能和更小的解決方案，包括 DC/DC轉換、AC/DC SMPS和充電器、太陽能優化器和微型逆變器，以及馬達控制器。

EPC是增强型氮化鎵 (eGaN®)功率FET和IC領域的全球領導者，新推採用更耐熱的QFN封裝且可立即發貨的150 V EPC2308氮化鎵元件，用於電動工具和機器人的馬達控制器、用於工業應用的80 V/100 V高功率密度 DC/DC轉換器、用於充電器、適配器和電源供電的28V~54V同步整流器、智能手機USB快速充電器，以及太陽能優化器和微型逆變器。

EPC9176是一款基於氮化鎵元件的逆變器參考設計，增强了馬達控制系統的性能、續航能力、精度和扭矩，同時簡化設計。該逆變器尺寸極小，可集成到電機外殼中，從而實現最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC9176。這是一款三相BLDC馬達控制逆變器，採用EPC23102 ePower™ 功率級GaN IC，內含閘極驅動器功能和兩個具有5.2 mΩ典型導通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達28 A_pk(20 A_RMS)的電流。這種電壓範圍和功率使該解決方案非常適合用於各種36V~80 V輸入的三相BLDC馬達控制應用，包括電動自行車、電動滑板車、電動工具、無人機、機器人、直流伺服、醫療機器人和工廠自動化。

New Motor Drive Center of Excellence (CoE) design center in Turin, Italy, to help customers exploit the power of GaN for growing motor drive applications

EL SEGUNDO, Calif.— September, 2022 —   EPC has opened a new design application center near Turin, Italy, to focus on growing motor drive applications based on GaN technology in the e-mobility, robotics, drones, and industrial automation markets.  The specialist team will support customers in accelerating their design cycles and define future Integrated Circuits for power management with state-of-the art equipment to test applications from 400 W to 10’s of kW.

宜普電源轉換公司(EPC)新推100 V、3.8 mΩ 的氮化鎵場效應電晶體EPC2306，為高功率密度應用提供性能更高和更小的解決方案，包括 DC/DC 轉換、AC/DC 充電器、太陽能優化器和微型逆變器、馬達控制器和D類音頻放大器等應用。

宜普電源轉換公司是增强型氮化鎵 (eGaN^®) 功率 FET 和 IC 領域的全球領導者，新推100 V、採用耐熱增强型QFN封裝的EPC2306，用於高密度計算應用的48 V DC/DC轉換、電動汽車和機器人的 48 V BLDC 馬達控制器、太陽能優化器和微型逆變器，以及 D 類音頻放大器。

BRC Solar公司的新型M500/14功率優化器採用EPC公司的100 V 氮化鎵元件（EPC2218)，它的佔板面積小，可實現更高的頻率和額定功率。

BRC Solar公司憑藉其功率優化器徹底改變了光伏市場的發展、提高了光伏電站和系統的發電量和性能。其新一代M500/14 功率優化器採用了宜普電源轉換公司的EPC2218（100 V的場效應電晶體），實現了更高的功率密度，因為GaN FET的低功耗和小尺寸使關鍵負載電路更加緊凑。而GaN FET的小寄生電容和電感可實現沒有雜訊的開關和良好的EMI特性。GaN FET的另一個優點是沒有反向恢復損耗。

宜普電源轉換公司（EPC）推出ePower™功率級積體電路，它整合了整個半橋功率級，可在1 MHz工作時實現高達35 A的輸出電流，為高功率密度應用提供更高的性能和更小型化的解決方案，包括DC/DC轉換、馬達控制和D類音頻放大器等應用。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出100 V、35 A的積體電路，專爲48 V DC/DC轉換而設計，用於高密度運算應用和面向電動汽車、機器人和無人機的48 V BLDC馬達控制器。

EPC23102 eGaN 積體電路可實現100 V的最大耐受電壓、實現高達35 A的負載電流和高於1 MHz的開關速度。

宜普電源轉換公司(EPC)擴展了其抗輻射氮化鎵產品系列，新推的100 V產品用於要求嚴格的機載和其他高可靠性環境下的電源轉換解決方案，進一步爲這個產品系列添加第五個成員。

EPC公司宣佈推出100 V、7 mΩ、160 A_Pulsed的抗輻射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm²，其總劑量等級大於1 Mrad，綫性能量轉移（LET）的單一事件效應（SEE）抗擾度為85 MeV/(mg/cm²)。EPC7004與EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是採用晶片級封裝，這與其他商用的氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）和IC相同。封裝元件將由EPC Space提供。

宜普電源轉換公司(EPC)擴展了其抗輻射氮化鎵產品系列，新推的100 V元件用於要求嚴格的機載和其他高可靠性環境的電源轉換解決方案，與目前市場上的任何100 V耐輻射電晶體相比，它具有最低的導通電阻。

EPC公司宣佈推出100 V、3.9 mΩ、345 A_Pulsed的抗輻射GaN FET EPC7018 r，尺寸爲13.9 mm²，其總劑量等級大於1 Mrad，綫性能量轉移（LET）的單一事件效應（SEE）抗擾度爲85 MeV/(mg/cm²)。與EPC7014、EPC7007和EPC7019耐輻射產品系列相同，都是採用晶片級封裝。封裝元件由EPC Space.提供。