宜普電源轉換公司（EPC）新推綫上論壇，為工程師提供產品信息、答疑解難和分享採用氮化鎵技術的應用現狀和發展趨勢。

宜普電源轉換公司宣佈新推"GaN Talk支持論壇"，為工程師提供產品信息和技術支持，從而瞭解氮化鎵（GaN）技術的應用現狀和發展趨勢。該論壇專為工程師、工程專業學生和所有氮化鎵技術愛好者而設，為用戶答疑解難和提供互相交流的平臺。提問可以用主題類別、熱門話題或最新帖子搜索。除了提問外，用戶還可以在論壇使用帖子中的"分享"連結參看所有之前的提問和反饋。

基於氮化鎵元件的逆變器參考設計EPC9173無論是在尺寸、性能、續航里程、精度和扭矩方面，優化了電機系統，而且簡化設計和加快產品推出市場的時間。我們可以把這種微型逆變器放進電機外殼中，從而把EMI減到最小、實現最高的功率密度和最輕的重量。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC9173，它是一款三相無刷直流馬達驅動逆變器，採用具備嵌入式閘極驅動器功能的EPC23101 eGaN^®積體電路和一個3.3 mΩ 導通電阻的浮動功率氮化鎵場效應電晶體。EPC9173在20 V和85 V之間的輸入電源電壓下工作，峰值電流可高達50 Apk（35 A_RMS）。這種電壓範圍和功率水平使該解決方案成為各種馬達控制應用的理想元件，包括電動自行車、滑板車、城市汽車、無人機和機器人。

宜普電源轉換公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場效應電晶體（EPC2066），為設計工程師提供比矽MOSFET更小、更高效的元件，用於高性能、佔板面積受限的應用。

全球行業領先供應商宜普電源轉換公司為業界提供增强型氮化鎵（eGaN^®）功率場效應電晶體和集成電路，新推40 V、典型值爲0.8 mΩ的EPC2066氮化鎵場效應電晶體，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵電晶體和可以立即發貨。

Sensitron introduces the SPG025N035P1B GaN half-bridge module using the 350 V EPC2050 eGaN^® FET from Efficient Power Conversion (EPC)

EL SEGUNDO, Calif.— May 2022, Reducing size and cost were key concerns of Sensitron when designing their latest generation GaN power modules. By replacing traditional silicon FETs with EPC’s 350 V, EPC2050 GaN FET, Sensitron was able to reduce the size of their solution by 60% while also improving the module’s already excellent junction-to-case thermal conduction. The SPG025N035P1B from Sensitron is a high-power density 350 V, 20 A GaN half bridge with an integrated gate drive, optimized for stray inductance and switching performance at 500 khz. Rated at 20 A, the module can be used to control over 3 kW. Sensitron’s proprietary topside cooling technology on this ultra-small, lightweight high power density package (1.10" x 0.70" x 0.14") allows for optimal thermal performance. The SPG025N035P1B was designed for commercial, industrial, and aerospace applications.

宜普電源轉換公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應電晶體（EPC2071）,爲設計工程師提供比矽MOSFET更小、更高效的元件，用於高性能、佔板面積受限的應用。

全球行業領先供應商宜普電源轉換公司為業界提供增强型氮化鎵（eGaN^®）功率場效應電晶體和集成電路，最新推出100 V、典型值爲1.7 mΩ的EPC2071氮化鎵場效應電晶體，爲客戶提供更多可選的低壓氮化鎵電晶體和可以立即發貨。

宜普電源轉換公司(EPC)擴展了其抗輻射氮化鎵產品系列，新推的200 V產品用於要求嚴格的機載和其他高可靠性環境下的電源轉換解決方案，它具備超低導通電阻和極小型化等優勢。

EPC公司宣佈推出200 V、25 mΩ、80 A_Pulsed的抗輻射GaN FET EPC7007。尺寸小至5.76 mm²，其總劑量等級大於1 Mrad，綫性能量轉移（LET）的單一事件效應（SEE）抗擾度為85 MeV/(mg/cm²)。與商用eGaN FET和IC系列相同，採用芯片級封裝。 封裝元件將由EPC Space提供。

EPC公司的氮化鎵專家將在PCIM 歐洲展會分享多項現場演示以闡釋卓越的氮化鎵技術如何爲許多應用的功率轉換帶來革命性突破，包括計算、通訊和e-mobility。

宜普電源轉換公司（EPC）團隊將於5月10日至12日在德國紐倫堡舉行的PCIM 歐洲2022展覽進行多場關於氮化鎵技術的演講和專業研討會，詳請如下。 此外，我們將在展位（9號廳、113號展臺）展出採用新型eGaN^®FET 和 IC的客戶的最新終端產品。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出通過車規認證的電晶體和積體電路最新成員，面向飛行時間（ToF）光達應用，讓客戶實現具有更高的性能和更小的解決方案，用於機器人、無人機、3D 感測器和自動駕駛車輛等應用。

EPC公司宣佈推出 EPC2221，這是一款共源雙路氮化鎵場效應電晶體，額定電壓爲100 V、58 mΩ 和 20 A脈衝電流，可用於機器人、監控系統、無人機、自動駕駛車輛和吸塵器的光達系統。

氮化鎵功率電晶體EPC2050專爲功率系統設計人員而設計，在極小的晶片級封裝中實現 350 V、80 mΩ 最大 R_DS(on)和26 A 峰值電流，是多電平轉換器、電動汽車充電、太陽能逆變器、光達和 LED 照明的理想元件。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出 EPC2050，這是一款 350 V GaN 電晶體，最大 RDS(on) 為 80 mΩ，脉衝輸出電流爲 26 A。 EPC2050 的尺寸僅為 1.95 mm x 1.95 mm。與採用等效矽元件的解決方案相比，基於EPC2050的解決方案的佔板面積小十倍。

EPC9171 評估板可將 90 V~265 V通用交流輸入電壓轉換為可調15 V~48 V直流輸出電壓。該參考設計可在 48 V 輸出電壓和 5 A 負載電流下，提供 240 W 的最大輸出功率。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC9171，可將 90 V~265 V通用交流輸入電壓轉換為15 V~48 V直流輸出電壓，專為USB PD3.1超快速充電器而設計。此參考設計可在 48 V 輸出電壓和 5 A 負載下，提供 240 W 最大輸出功率。在初級側和次級側電路採用在高頻率下開關的氮化鎵功率元件，可實現約1.1 W/cm³的功率密度。

Efficient Power Conversion (EPC) expands its family of radiation-hardened (rad-hard) gallium nitride (GaN) products for power conversion solutions in critical spaceborne and other high reliability environments with a device that has the lowest on-resistance of any rad hard transistor currently available on the market.

EL SEGUNDO, Calif.— March 2021 — EPC announces the introduction of the EPC7019 radiation-hardened eGaN FET. The EPC7019, a 40 V, 1.5 mΩ, 530 A_Pulsed, rad-hard eGaN FET in a small 13.9 mm² footprint. The EPC7019 has a total dose rating greater than 1 Mrad and SEE immunity for LET of 85 MeV/(mg/cm²). These devices are offered in a chip-scale package, the same as the commercial eGaN FET and IC family.  Packaged versions will be available from EPC Space.

EPC公司和ADI公司推出參考設計，採用完面優化的新型模擬控制器來驅動EPC公司的氮化鎵場效應電晶體(GaN FET)。新型類比LTC7890同步氮化鎵降壓控制器與EPC公司的超高效eGaN^® FET相結合，可實現高達2 MHz的開關頻率，從而實現高功率密度和低成本的DC/DC轉換。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC9160，這是一款雙輸出同步降壓轉換器参考設計，開關频率為2 MHz，可將9 V~24 V的输入電壓转换为3.3 V或5 V的輸出電壓，兩個輸出的連續電流可高達15 A。由於開關頻率高，轉換器的尺寸非常小，兩個輸出都只有23 mm x 22 mm和電感器的厚度只有3 mm。

EPC公司的氮化鎵專家將在APEC展會分享多項現場演示以闡釋氮化鎵技術如何爲許多行業的功率轉換帶來革命性突破，包括計算、通信和e-mobility。

宜普電源轉換公司（EPC）團隊將於3月20日至24日在休斯頓舉行的IEEE應用電力電子會議和博覽會(APEC 2022)上進行多場關於氮化鎵技術的演講和專業研討會，詳請如下。 此外，我們將在1302號展位展出採用新型eGaN^®FET 和 IC的客戶的最新產品。

基於氮化鎵元件的EPC9167 逆变器参考設計提高馬達系统性能、範圍、精度、扭矩並同時降低整體系统成本。該逆變器尺寸超小，可整合到電機外殼中，從而實現具有最低 EMI、最高功率密度和最輕的馬達驅動逆變器。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出 EPC9167，這是一款採用 EPC2065 eGaN^® FET的三相 BLDC馬達驅動逆變器。EPC9167在14 V和60 V（標稱48 V）之間的輸入電壓下工作，並備有两種配置——標準和大電流版本：

EPC9165 是一款两相、穩壓輸出電壓、48 V/14 V雙向轉換器，可實現 2 kW 的功率和 96.8% 的峰值效率

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出 EPC9165，這是一款 2 kW、两相 48 V/14 V雙向轉換器，在小尺寸內實現 97% 的峰值效率，非常適合具有高密度和高功率的48 V電池組，例如電動和輕型運輸所需的電池組。

Efficient Power Conversion (EPC) publishes Phase-14 Reliability Report, which adds to the extensive knowledge and demonstrates a robustness capability unmatched by silicon power devices.

EL SEGUNDO, Calif.— February 2022 — EPC announces its Phase-14 Reliability Report, documenting the strategy used to achieve a remarkable field reliability record. The rapid adoption of GaN devices in many diverse applications calls for the continued accumulation of reliability statistics and research into the fundamental physics of failure in GaN devices. The Phase-14 Reliability Report presents the strategy used to measure and predict lifetime based upon tests that force devices to fail under various conditions. This information can be used to create more robust and and higher performance products for applications such as lidar for autonomous cars, robotics, security, and drones, high power density computing, and satellites, to name just a few.

EPC9170演示板是一款两相、可調輸出電壓的48 V/14 V雙向轉換器，提供2 kW功率和實現96.8 %峰值效率。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC9170演示板，這是一款2kW、两相48 V /14 V雙向轉換器，在小尺寸内實現96.8%的峰值效率。該板採用100 V、65 A 的ePower™ IC晶片组，包含EPC23101 eGaN^® IC和 EPC2302 eGaN^® FET，可實現的解決方案的最大電壓為100 V、負載電流可高達65 A和開關頻率可超過1 MHz。

宜普電源轉換公司(EPC)為工程師提供更多的設計工具、模型和性能模擬器，用於基於高性能氮化鎵元件的設計。

EPC公司宣佈推出GaN Power Bench™設計工具，幫助工程师實現基於氮化鎵元件的設計的最高性能。eGaN^® FET和IC具有快速開關、高效和小尺寸等優勢，可满足當今前沿應用對功率密度的嚴格要求。GaN Power Bench工具可幫助設計工程師為各種應用選擇最合適的氮化鎵元件、模擬和優化設計的熱性能，並提供應用實例和相關檔案，從而可以快速、輕鬆地實現最佳設計的理想性能。

瑞薩電子(Renesas)的两相同步GaN升壓控制器與宜普電源轉換公司（EPC）的超高效eGaN^® FET相结合，實現了高功率密度和低成本的DC/DC轉換。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出12 V輸入、48 V輸出、500 W的DC/DC演示板（EPC9166）。該演示板展示出瑞薩電子ISL81807 80 V两相同步升壓控制器和宜普公司最新一代EPC2218EPC2218 eGaN FET，在開關頻率爲500 kHz的12 V输入到48 V穩壓輸出轉換中，效率超過96.5%。輸出電壓可配置为36 V、48 V和60 V。該板在没有散熱器的情况下，可提供480 W的功率。

宜普電源轉換公司（EPC）推出ePower晶片組系列。該系列集成了100 V氮化鎵驅動器和場效應電晶體，可實現高達65 A的輸出電流，爲高功率密度應用提供更高的性能和更小型化的解決方案，包括DC/DC轉換和馬達控制等應用。

宜普電源轉換公司宣佈推出100 V、65 A的積體電路晶片組，專爲48 V DC/DC轉換而設計，用於高密度運算應用和用於電動汽車、機器人和無人機的48 V BLDC馬達控制器。