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作者:宜普公司應用總監David Reusch 博士
雜誌:Power Electronics Technology
在過去的章節中,我們討論了氮化鎵場效應電晶體于硬開關、隔離及非隔離型轉換器應用中所具的優勢。 在第九部分,我們將展示氮化鎵器件在軟開關的應用中,相比目前的功率MOSFET器件,它可以改善效率及輸出功率密度。
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宜普公司的氮化鎵場效應電晶體具卓越開關速度，為具非常高的共振頻率的無線電源傳送提高功率電子的效率
宜普宣佈推出一個高效無線電源展示系統，內含具高頻開關性能的氮化鎵電晶體。使用宜普的氮化鎵場效應電晶體是這種系統的一個理想解決方案，因為它所具備的性能可以在高頻、高壓及高功率情況下有效率地工作。
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作者：宜普公司首席執行長Alex Lidow博士
日期：在2012年7月2日刊載於Power Pulse.NET網站
大約在2005年Eudyna 與Nitronex首次推出耗盡型射頻電晶體時，氮化鎵電晶體已經出現。之後有很多新的公司加入引進射頻電晶體（如RFMD, Triquint, Cree, 飛思卡爾, Integra, HRL, M/A-COM及其它公司)，以及在電源轉換應用為替代功率MOSFET而設計的電晶體（如Transphorm, 國際整流器公司, GaN Systems, microGaN及宜普電源轉換公司）。本論文主要在討論這個熱鬧的科研現象是代表氮化鎵電晶體已經準備好替代功率MOSFET嗎？如果是，原因是什麼呢？
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作者：宜普公司產品應用副總裁Michael de Rooij博士
日期：在2012年6月27日刊載於Power Electronics Technology 雜誌
無線電源產品的應用日益普遍，尤其是應用於通用產品如手機充電器。作為MOSFET技術的替代產品，增強型氮化鎵電晶體具備更快開關速度的性能，是無線電源應用的理想器件。這篇文章我們主要討論實驗性的評估一個內含氮化鎵場效應電晶體在6.78 MHz時工作的無線充電系統的感應線圈，適合用於多個輸出功率為5W的U盤充電負載。
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作者：宜普公司產品應用副總裁Johan Strydom博士
日期：在2012年6月1日刊載於Bodo’s Power Systems雜誌
本論文主要在討論氮化鎵電晶體如宜普電源轉換公司的eGaN® FET可以提高隔離型八分之一磚式直流-直流轉換器的效率。這種電源轉換器普遍使用於大型電腦的主機、伺服器及通信系統，並具備不同的尺寸、輸出功率性能、輸入及輸出電壓範圍可供設計工程師考慮。它的模組性、功率密度、可靠性及多功能的特性有助隔離型電源產品的設計。
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EPC9102充分展示了EPC2001 eGaN FET及德州儀器LM5113 eGaN FET驅動器的組合所能達到的優異性能。
宜普電源轉換公司宣佈推出EPC9102演示板,這是一個全功能的八分之一磚轉換器演示板。這塊電路板就是一個36V-60V輸入、12V輸出、375kHz相移全橋(PSFB)式八分之一磚轉換器,最大輸出電流為17A。該演示板內含100V EPC2001 eGaN FET及德州儀器專為驅動eGaN FET而設的半橋柵極驅動器(LM5113)。
LM5113是業界首款能夠最佳驅動增強型氮化鎵FET、並且能夠充分發揮這種FET優勢的驅動器。EPC9102演示板展示了當eGaN FET配合德州儀器LM5113 eGaN FET驅動器,可以實現eGaN FET的高開關頻率性能。
這種轉換器的結構符合標準八分之一磚的外形尺寸和高度 (2.300" x 0.900" x 0.400")要求。儘管這個尺寸比較小,但整個電路板在36V輸入電壓、10A輸出電流條件下,可以達到94.8%的峰值功效。
EPC9102演示電路的設計用於展示使用eGaN FET在375kHz工作時、 能夠實現得到的尺寸和性能、 而設計本身並沒有針對最大輸出功率進行優化。其工作頻率大約比同類商用的八分之一磚直流-直流電源轉換器高出50%至100%。
EPC9102演示板的尺寸特別是過大的尺寸,這是方便電源系統設計工程師連接相關的評估平臺。演示板上有許多探測點,便於測量簡單波形和計算效率。EPC9102演示板可用在低環境溫度和強制空冷條件下的基準評估。
隨EPC9102演示板一起提供的,還有一份供使用者參考和易於使用的快速入門指南: http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9102_qsg.pdf。
EPC9102演示板單價為306.25美元,客戶可以透過DigiKey公司在網上購買,網址為: http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。
EPC eGaN FET 及德州儀器的LM5113 設計工具指南
eGaN FET 設計資訊及支援
宜普公司简介
宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰跟踪、乙太網供電、太陽能微型逆變器、能效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw 。
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商標
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。
媒體聯絡人
Winnie Wong ([email protected])
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Dr. Reusch will be creating benchmark power converter designs and assisting customers in the use of eGaN FETs® for high frequency, high performance power conversion systems
EL SEGUNDO, Calif.—May 2012 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) is proud to announce that Dr. David Reusch has joined the EPC engineering team as Director, Applications Engineering.
As a member of the EPC applications team, Dr. Reusch’s focus will be on designing lower loss and higher power density benchmark circuits that demonstrate the benefits of using gallium nitride transistors. His initial focus will be on their use in higher voltage DC-DC converters and resonant, soft-switching converters. Dr. Reusch’s research and experience in these applications will be shared with customers to accelerate their designs using high performance eGaN FETs. His designs will demonstrate GaN transistors’ superior performance over MOSFETs.
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EL SEGUNDO, Calif.—May, 2012 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) CEO Alex Lidow will speak at the private Credit Suisse investor conference in San Francisco on Tuesday, May 22, at 10:00 a.m. Pacific time. Dr. Lidow will discuss the growing market for gallium nitride transistors with a focus on EPC’s eGaN® FET technology and products. As a displacement technology, GaN FETs can be used in an array of current MOSFET applications in addition to enabling new high volume applications, such as wireless power and envelope tracking, a method for significant energy savings in communication devices.
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作者：宜普公司產品應用副總裁Johan Strydom博士
日期：在2012年4月30日刊載於Power Electronics Technology 雜誌
在射頻功率放大器的波峰追蹤不是新技術。但隨著社會對電源產業日益增長的需求如增長手機的電池壽命、提高基站的能效及增加高成本的射頻傳輸器的輸出功率，通過波峰追蹤來提高射頻功率放大器系統的效率已經成為科研的一個重要議題。
我們在這篇文章展示了在大功率輸出的波峰追蹤應用中的降壓轉換器，如何使用eGaN FET實現功率及效率方面可達到的成效。
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The GaN power device industry has probably generated less than $2.5M revenues in 2011, as only 2 companies (IRF & EPC Corp.) are selling products on the open market. However, the overall GaN activity has seen extra revenues as R&D contracts, qualification tests and sampling for qualified customers was extremely buoyant.
http://www.news10.com/story/17735484/power-gan-2012?clienttype=printable
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EL SEGUNDO, Calif. – April, 2012 - Efficient Power Conversion Corporation, (www.epc-co.com) the leader in enhancement mode gallium nitride FET technology, announces today that it has been recognized with inclusion in the EE Times Silicon 60 list of 60 Emerging Startups. Companies are selected by the editorial team at EE Times based on a mix of criteria including: technology, intended market, maturity, financial position, investment profile, and executive leadership.
"It is an honor to receive this recognition from EE Times as one of the hottest emerging electronics companies and as EE Times has noted, 'an emerging company worthy of tracking,'" commented Alex Lidow, CEO, Efficient Power Conversion Corporation.
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eGaN® FET 的高性能正在更快地被DC/DC 電源轉換、負載點轉換器、D類音訊放大器及高頻電路等應用採用,而TI推出業界首款100V半橋GaN FET驅動器(LM5113),經過優化,配合氮化鎵場效應電晶體使用,則更進一步推動eGaN FET在高性能電信、網路以及數據通信中心的應用。
詳情請瀏覽:
電子設計技術(2012年4月書刊)
EDN 電子雜誌2012年第04期
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Written by Peter Clarke - 3/7/2012 2:20 PM EST
LONDON - The market for power devices implemented in gallium nitride was less than $2.5 million in 2011, according to market research firm Yole Developpement (Lyon, France). However, there is a great deal of R&D activity and Yole sees the power GaN market growing to nearly $0 million in 2012 and $500 million in 2016.
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研討會： 在2012年2月9日舉行的電力電子應用技術研討會（APEC）
演講者： Alex Lidow博士
內容： Lidow博士是電源轉換公司首席執行長，為這家公司的共同創辦人及現有 HEXFET功率MOSFET技術的共同發明者之一。Lidow博士將在這個研討會和 工程師討論增强型氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)如何在尺寸和器件表現方 面比矽功率MOSFET卓越很多。
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德州儀器公司發佈了一個全新應用於高密度電源轉換器、專門驅動MOSFET及氮化鎵場效應電晶體的低側閘極驅動器(LM5114)。 這個驅動器適用于一系列低侧應用,包括同步整流器及經過功率因數較正的轉換器。加上在2011年推出的業界第一個100V半橋氮化鎵場效應電晶體驅動器(LM5113),這個產品系列提供了完整的隔離DC/DC電源轉換驅動器解決方案,專門驅動應用於電信、網路及資料中心的具大功率輸出特性之氮化鎵場效應電晶體及MOSFET。請瀏覽www.ti.com/gan 以取得詳情、樣片和評估板的資料。
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這本由業界專家撰寫的“應用於高效電源轉換系統的氮化鎵電晶體”教科書,提供氮化鎵電晶體的科技理論和應用教材。
宜普電源轉換公司(www.epc-co.com)宣佈出版了旨在為電源系統設計工程師提供基本技術和應用資料,以怎樣利用基於氮化鎵的電晶體,設計出更高效的電源轉換系統。
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德州儀器推出的國半LM5113 驅動器榮獲美國電子產品雜誌(Electronic Products)之年度最佳產品獎。該著名行業雜誌的讀者皆為電子設計工程師,經過編輯評審過千於2011年發佈的產品,選出在以下各方面表現優勝的產品：創新設計、在技術或應用方面取得重大發展及具成本和性能超卓優勢。
德州儀器推出業界首款針對增強型氮化鎵（GaN）功率場效應電晶體（FET）而優化的驅動器。與標準金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)相比，由於具有較低的導通電阻(RDS(ON))、閘極電荷(QG)以及超小的體積,增強型GaN FET可以實現更高的效率和功率密度，但是要可靠地驅動這類器件也面臨著新的重大挑戰。國半的LM5113驅動積體電路化解了這些挑戰, 使電源設計人員能夠在各種流行的電源拓撲結構中發揮GaN FET的優勢。
“我們衷心祝賀德州儀器榮獲這個殊榮。LM5113橋式驅動器為設計工程師提供一個確實的plug & play解決方案，加速業界採用eGaN ®FET及其普及化。LM5113釋放了eGaN FET的效能優勢，幫助設計工程師實現電源及系統密度方面的全新性能基準。”宜普電源轉換公司首席執行長Alex Lidow 說。
http://www2.electronicproducts.com/Driving_GaN_FETs_becomes_reality-article-poypo_TI_NatSemi_jan2012-html.aspx
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Gallium nitride has long been known to have useful properties when it comes to electronic components. Even so, its application has largely been confined to more exotic areas of the industry, particularly rf transistors.
But GaN is beginning to find application in what could be considered the mainstream, with some of its proponents suggesting its arrival could mark the beginning of the end for the traditional power mosfet.
By: Graham Pitcher
New Electronics
December 13, 2011
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EPC9101演示板使用具高頻開關優勢的eGaN功率電晶體,可減小降壓電源轉換器尺寸和提高效率
EPC9101是一款全功能的降壓電源轉換器演示電路，實現8V-19V輸入、1.2V電壓、18A最大電流輸出及1MHz降壓轉換器，使用的元件包括EPC2014和EPC2015 eGaN FET，並配合德州儀器公司最近推出的的100V半橋柵極驅動器（LM5113）。LM5113是業界首款專為增強型氮化鎵場效應電晶體而設計的驅動器。EPC9101演示高開關頻率eGaN FET與這個匹配的驅動器，可減小降壓電源轉換器尺寸和提高其性能。
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EPC has received ISO certification for the design, development, marketing and sales of gallium nitride power transistors and power management devices
EL SEGUNDO, Calif. – September 2011 - Efficient Power Conversion Corporation (www.epc-co.com) the leader in energy-efficient enhancement mode gallium nitride (eGaN®) power transistors used in power conversion applications, has received the International Organization for Standardization ISO 9001:2008 certification for its quality management system.
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