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寬能隙元件建構高效節能綠世界

寬能隙元件建構高效節能綠世界

以碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)材料為主流的寬能隙(WBG)半導體功率元件,在節能永續意識抬頭的今日成為各種電源系統應用的寵兒;2022年Tech Taipei系列研討會首度以WBG元件為題,邀請業界重量級業者,從設計、製造、測試等不同面向與現場超過400位聽眾分享最新技術與應用趨勢...

EE Times Taiwan
2022年3月
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用於國際通用交流輸入、240 W USB PD3.1 “全氮化鎵”快充參考設計, 實現功率密度基準

用於國際通用交流輸入、240 W USB PD3.1 “全氮化鎵”快充參考設計, 實現功率密度基準

EPC9171 評估板可將 90 V~265 V通用交流輸入電壓轉換為可調15 V~48 V直流輸出電壓。該參考設計可在 48 V 輸出電壓和 5 A 負載電流下,提供 240 W 的最大輸出功率。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC9171,可將 90 V~265 V通用交流輸入電壓轉換為15 V~48 V直流輸出電壓,專為USB PD3.1超快速充電器而設計。此參考設計可在 48 V 輸出電壓和 5 A 負載下,提供 240 W 最大輸出功率。在初級側和次級側電路採用在高頻率下開關的氮化鎵功率元件,可實現約1.1 W/cm3的功率密度。

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Efficient Power Conversion (EPC) Releases Lowest On-Resistance Rad Hard Transistor Available on the Market for Demanding Space Applications

Efficient Power Conversion (EPC) Releases Lowest On-Resistance Rad Hard Transistor Available on the Market for Demanding Space Applications

Efficient Power Conversion (EPC) expands its family of radiation-hardened (rad-hard) gallium nitride (GaN) products for power conversion solutions in critical spaceborne and other high reliability environments with a device that has the lowest on-resistance of any rad hard transistor currently available on the market.

EL SEGUNDO, Calif.— March 2021 — EPC announces the introduction of the EPC7019 radiation-hardened eGaN FET. The EPC7019, a 40 V, 1.5 mΩ, 530 APulsed, rad-hard eGaN FET in a small 13.9 mm2 footprint. The EPC7019 has a total dose rating greater than 1 Mrad and SEE immunity for LET of 85 MeV/(mg/cm2). These devices are offered in a chip-scale package, the same as the commercial eGaN FET and IC family.  Packaged versions will be available from EPC Space.

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EPC與ADI公司携手推出 基於氮化鎵場效應電晶體、高達2 MHz的開關頻率、最高功率密度的DC/DC轉換器

EPC與ADI公司携手推出 基於氮化鎵場效應電晶體、高達2 MHz的開關頻率、最高功率密度的DC/DC轉換器

EPC公司和ADI公司推出參考設計,採用完面優化的新型模擬控制器來驅動EPC公司的氮化鎵場效應電晶體(GaN FET)。新型類比LTC7890同步氮化鎵降壓控制器與EPC公司的超高效eGaN® FET相結合,可實現高達2 MHz的開關頻率,從而實現高功率密度和低成本的DC/DC轉換。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC9160,這是一款雙輸出同步降壓轉換器参考設計,開關频率為2 MHz,可將9 V~24 V的输入電壓转换为3.3 V或5 V的輸出電壓,兩個輸出的連續電流可高達15 A。由於開關頻率高,轉換器的尺寸非常小,兩個輸出都只有23 mm x 22 mm和電感器的厚度只有3 mm。

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High Performance 1 kW per Phase 48 V/12 V Converter Using GaN ePower Stage

High Performance 1 kW per Phase 48 V/12 V Converter Using GaN ePower Stage

Automotive 48 V/12 V converters are essential in modern hybrid electric vehicles, as the energy is exchanged between the 48 V and 12 V buses. This two-voltage system accommodates legacy 12 V systems and provides higher power for 48V to loads such as vacuum and water pumps, electric super chargers, steering, and audio systems. Among all the requirements for the 48 V/12 V converter, efficiency, power density, size and cost are on the top of the list. This article addresses these design criteria by employing the GaN ePower™ Stage, EPC23101, and compares it with a previous design using discrete EPC2206 devices.

Bodo’s Power Systems
March, 2022
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功率系統採用GaN的5大誤區

功率系統採用GaN的5大誤區

我們將在本文討論客戶爲何遲遲未採用氮化鎵技術的一些最常見原因,氮化鎵技術顯然是較舊的矽基功率MOSFET的替代技術。在不深入詳細研究統計數據的情况下,按最常發生推導出一系列原因,並理解某些應用比其他應用更側重氮化鎵技術的某些特性。我們的討論僅限於額定電壓低於400 V的元件,因爲這是EPC公司的氮化鎵場效應電晶體和積體電路的重點應用。

PSD功率系統設計
2022 年3月
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EPC在APEC 2022展會上展示GaN技術如何 爲48 V應用帶來革命性突破

EPC在APEC 2022展會上展示GaN技術如何 爲48 V應用帶來革命性突破

EPC公司的氮化鎵專家將在APEC展會分享多項現場演示以闡釋氮化鎵技術如何爲許多行業的功率轉換帶來革命性突破,包括計算、通信和e-mobility。

宜普電源轉換公司(EPC)團隊將於3月20日至24日在休斯頓舉行的IEEE應用電力電子會議和博覽會(APEC 2022)上進行多場關於氮化鎵技術的演講和專業研討會,詳請如下。 此外,我們將在1302號展位展出採用新型eGaN®FET 和 IC的客戶的最新產品。

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採用EPC GaN FET以低成本爲電動自行車、無人機和機器人提供卓越的馬達驅動性能

採用EPC GaN FET以低成本爲電動自行車、無人機和機器人提供卓越的馬達驅動性能

基於氮化鎵元件的EPC9167 逆变器参考設計提高馬達系统性能、範圍、精度、扭矩並同時降低整體系统成本。該逆變器尺寸超小,可整合到電機外殼中,從而實現具有最低 EMI、最高功率密度和最輕的馬達驅動逆變器。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出 EPC9167,這是一款採用 EPC2065 eGaN® FET的三相 BLDC馬達驅動逆變器。EPC9167在14 V和60 V(標稱48 V)之間的輸入電壓下工作,並備有两種配置——標準和大電流版本:

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Better thermal management of eGaN FETs

Better thermal management of eGaN FETs

A few simple thermal management guidelines can help conduct heat away from GaN FETs. Enhancement-mode gallium nitride (eGaN) FETs offer high power-density with ultra-fast switching and low on-resistance, all in a compact form factor. However, the power levels these high-performance devices provide can be limited by extreme heat-flux densities. If not managed properly, the generated heat can compromise reliability and performance. Fortunately, chip-scale packaging for eGaN FETs can be leveraged at the board-side and the backside (i.e., case) to better dissipate heat.

Power Electronics Tips
February, 2022
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EPC與MPS合作開發2 kW、48 V/14 V、穩壓輸出電壓的DC-DC 参考設計板,採用 EPC 最新的GaN FET,實現更高效、更小、更快的雙向轉換器。

EPC與MPS合作開發2 kW、48 V/14 V、穩壓輸出電壓的DC-DC 参考設計板,採用 EPC 最新的GaN FET,實現更高效、更小、更快的雙向轉換器。

EPC9165 是一款两相、穩壓輸出電壓、48 V/14 V雙向轉換器,可實現 2 kW 的功率和 96.8% 的峰值效率

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出 EPC9165,這是一款 2 kW、两相 48 V/14 V雙向轉換器,在小尺寸內實現 97% 的峰值效率,非常適合具有高密度和高功率的48 V電池組,例如電動和輕型運輸所需的電池組。

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Automotive Buck/Reverse-Boost Converter with GaN for Efficient 48 V Power Distribution

Automotive Buck/Reverse-Boost Converter with GaN for Efficient 48 V Power Distribution

Demonstrating the design of a bi-directional DC-DC converter for automotive 48 V power distribution, showing how GaN technology is a powerful enabler for efficient electrification. The trend towards increasing electrification in the automotive industry enables car makers both to deliver new innovations to market cost-effectively and to meet increasingly stringent emissions legislation. Raising the vehicle’s main bus voltage to 48 V helps meet the demands of power-hungry systems such as the start-stop motor/generator of a mild hybrid vehicle, as well as loads such as electric power steering, electric supercharging, and vacuum and water pumps.

Bodo’s Power Systems
December, 2021
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面向高功率密度應用的ePower晶片組系列被選爲Bodo‘s Power Systems“二月卓越產品”

面向高功率密度應用的ePower晶片組系列被選爲Bodo‘s Power Systems“二月卓越產品”

EPC公司推出了100 V、65 A 集成電路晶片組,專爲48 V DC/DC轉換而設計,用於高密度計算應用,以及用於電動汽車、機器人和無人機的 48 V BLDC馬達控制器。EPC23101 eGaN IC配合EPC2302 eGaN FET成爲ePower晶片組,其最大耐受電壓爲 100 V,提供高達65 A的負載電流,開關速度大於1 MHz。

Bodo’s Power Systems
2022 年 2 月
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EPC Releases Phase 14 Report on GaN Reliability and the use of Physics-Based Models to Project eGaN Device Lifetime

EPC Releases Phase 14 Report on GaN Reliability and the use of Physics-Based Models to Project eGaN Device Lifetime

Efficient Power Conversion (EPC) publishes Phase-14 Reliability Report, which adds to the extensive knowledge and demonstrates a robustness capability unmatched by silicon power devices.

EL SEGUNDO, Calif.— February 2022 — EPC announces its Phase-14 Reliability Report, documenting the strategy used to achieve a remarkable field reliability record. The rapid adoption of GaN devices in many diverse applications calls for the continued accumulation of reliability statistics and research into the fundamental physics of failure in GaN devices. The Phase-14 Reliability Report presents the strategy used to measure and predict lifetime based upon tests that force devices to fail under various conditions. This information can be used to create more robust and and higher performance products for applications such as lidar for autonomous cars, robotics, security, and drones, high power density computing, and satellites, to name just a few.

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EPC新推採用ePower晶片的2 kW、48 V/14 V雙向穩壓轉換器参考設計

EPC新推採用ePower晶片的2 kW、48 V/14 V雙向穩壓轉換器参考設計

EPC9170演示板是一款两相、可調輸出電壓的48 V/14 V雙向轉換器,提供2 kW功率和實現96.8 %峰值效率。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC9170演示板,這是一款2kW、两相48 V /14 V雙向轉換器,在小尺寸内實現96.8%的峰值效率。該板採用100 V、65 A 的ePower™ IC晶片组,包含EPC23101 eGaN® IC和 EPC2302 eGaN® FET,可實現的解決方案的最大電壓為100 V、負載電流可高達65 A和開關頻率可超過1 MHz。

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易於使用的設計工具幫助工程師縮短基於氮化鎵的功率系統的上市時間

易於使用的設計工具幫助工程師縮短基於氮化鎵的功率系統的上市時間

宜普電源轉換公司(EPC)為工程師提供更多的設計工具、模型和性能模擬器,用於基於高性能氮化鎵元件的設計。

EPC公司宣佈推出GaN Power Bench™設計工具,幫助工程师實現基於氮化鎵元件的設計的最高性能。eGaN® FET和IC具有快速開關、高效和小尺寸等優勢,可满足當今前沿應用對功率密度的嚴格要求。GaN Power Bench工具可幫助設計工程師為各種應用選擇最合適的氮化鎵元件、模擬和優化設計的熱性能,並提供應用實例和相關檔案,從而可以快速、輕鬆地實現最佳設計的理想性能。

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