宜普電源轉換公司推出專為大電流及具高降壓比轉換器應用而設的開發板

Posted 2014年4月17日

EPC9016開發板內含40 V增強型氮化鎵場效應電晶體（eGaN®FET），是一種25 A最大輸出電流並採用並聯配置的電路設計，可提高電流能力達67%，其最優版圖技術可實現最優化效率。

宜普電源轉換公司宣佈推出EPC9016採用半橋式配置的開發板，專為採用氮化鎵場效應電晶體的大電流、高降壓比、降壓中間匯流排轉換器(IBC)應用而設。與採用單一高側（控制）場效應電晶體相比，我們並聯了兩個低側（同步整流器）場效應電晶體使得傳導時間更長。