The increase in switching speed offered by GaN transistors requires good measurement technology, as well as good techniques to capture important details of high-speed waveforms. This article focuses on how to leverage the measurement equipment for the user’s requirement and measurement techniques to accurately evaluate high performance GaN transistors. The article also evaluates high bandwidth differential probes for use with non-ground-referenced waveforms.

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By Suvankar Biswas , David Reusch & Michael de Rooij
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EPC9201（30 V、40 A）及EPC9203（80 V、20 A）DrGaNPLUS評估板展示出採用具備高頻開關性能的eGaN功率電晶體可大大縮減電源轉換系統的尺寸及提高效率。

宜普電源轉換公司為功率系統設計工程師擴大簡單易用的DrGaNPLUS評估板系列，使工程師非常容易對他們所設計並採用卓越的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的功率系統進行評估，進而快速實現量產。這些評估板是概念性驗證的設計，它把所有半橋式電路所需的元件整合在單塊、超小型及基於PCB的模組內，可以隨時直接表面貼裝在PCB板上，展示出採用氮化鎵電晶體的卓越功率轉換解決方案。

DrGaN^PLUS EPC9202開發板內含100 V、具高頻開關性能的氮化鎵（eGaN^®）功率電晶體，輸出電流為10 A，該板的尺寸極細小並可提高電源轉換效率

宜普電源轉換公司推出 DrGaN^PLUS 系列評估板，為功率系統工程師提供易於使用的工具以評估氮化鎵電晶體的優越性能。這些板所實現的設計概念是把一個半橋電路所需的所有元件集成在單一個極細小、基於印刷電路板的模組，使得易於裝貼，從而實現採用氮化鎵電晶體的優越功率轉換解決方案。

第一塊DrGaN^PLUS EPC9202開發板為100 V、10 A 半橋功率轉換器，工程師可以立即及易於使用，只需“plug and play”開發板便能評估高性能氮化鎵電晶體，例如常見於通信應用的電源轉換是當Vin 是48 V 及 Vout 是 12 V時，該板可實現97% 的峰值效率。

EPC9202開發板可以由單個PWM輸入來驅動，內含兩個氮化鎵場效應電晶體（EPC2001）、德州儀器公司的LM5113驅動器及高頻輸入電容。DrGaN^PLUS板的尺寸極細小，每邊只是稍微大於9 mm，並可以直接裝貼在印刷電路板上。我們特別設計它配備最優版圖，從而把共源電感及高頻功率換向環路電感的影響減至最低。

宜普電源轉換公司首席執行官及共同創始人Alex Lidow說「我們很高興推出 DrGaN^PLUS 開發板系列中內含氮化鎵場效應電晶體的第一塊EPC9202 開發板。 除了具備更高性能、更低成本及高可靠性的優勢外，對於採納全新技術來說，易用性是非常重要的因素。現在功率轉換系統設計工程師可以利用DrGaN^PLUS開發板易於在他們的功率系統電路對氮化鎵電晶體的優勢進行評估 」。

隨EPC9202開發板一起提供的還有一份供用戶參考和易於使用的網上速查指南，內載有詳細資料包括設置步驟、電路圖框、性能曲線及材料清單。

EPC9202開發板的單價為45美元，客戶可以透過DigiKey公司在網上直接購買，網址為 http://www.digikey.tw/Suppliers/tw/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zht

氮化鎵場效應電晶體的設計資料及技術支援

• 速查指南 - http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9202_qsg.pdf
• 關於EPC2001及所有宜普氮化鎵器件的數據表，可在這個網頁下載： 閱讀全文