全新氮化鎵(eGaN^®)功率電晶體（EPC2029）進一步擴大宜普電源轉換公司的功率電晶體系列 – EPC2029 氮化鎵電晶體使用高效、具有寬間距的芯片規模封裝，可易於實現高産量並與成熟的製程及組裝生産綫兼容。

宜普電源轉換公司宣佈推出採用更寬間距連接的佈局的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）-- 80 V、31 A並具有1 mm間距的焊球的EPC2029電晶體是這種全新産品系列的首個電晶體。更寬闊的間距可在元件的底部放置額外及較大的通孔，使得小尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）的元件可以具備大電流承載能力。