宜普電源轉換公司(EPC)推出採用高性能、寬間距的晶片規模封裝的全新氮化鎵(eGaN^®)功率電晶體，進一步擴大其功率電晶體系列、易於實現高產量並與成熟的製造工藝及組裝生產線相容。

宜普電源轉換公司宣佈推出3個採用具有更寬間距連接的佈局的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）。這些產品採用具有1 mm間距的焊球，進一步擴大EPC的“寬間距”元件系列。更寬闊的間距可在元件的底部放置額外及較大的通孔，使得元件以超小型尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）實現大電流承載能力。

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