宜普電源轉換公司(EPC)推出200 V、10 mΩ的EPC2307，完善了額定電壓為 100 V、150 V和200 V的6個GaN電晶體系列，提供更高的性能、更小的解決方案和易於設計的DC/DC轉換、AC/DC SMPS和充電器、太陽能優化器和微型逆變器，以及馬達控制器。

全球增强型氮化鎵FET和IC領導者EPC推出 200 V、10 mΩ的EPC2307，採用耐熱增强型QFN封裝，佔位面積僅為3 mm x 5 mm。

Efficient Power Conversion (EPC) introduces the 150 V, 3 mΩ EPC2305 and the 200 V, 5 mΩ EPC2304 GaN FETs offering higher performance and smaller solution size and cost for DC-DC conversion, AC/DC SMPS and chargers, solar optimizers and microinverters, and motor drives.

EL SEGUNDO, Calif.— December 2022 — EPC, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride FETs and ICs, introduces the 150 V, 3 mΩ EPC2305 and the 200 V, 5 mΩ EPC2304 GaN FETs in a thermally enhanced QFN package with exposed top and tiny 3 mm x 5 mm footprint.

宜普電源轉換公司（EPC） 與世界先進積體電路股份有限公司（VIS） 攜手合作生產八吋氮化鎵晶圓，透過VIS高品質的製造能力，進一步强化EPC在氮化鎵功率轉換市場的領導地位。

發佈單位：宜普電源轉換公司、世界先進公司

發佈日期：111年12月6日

宜普電源轉換公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場效應電晶體（EPC2066），為設計工程師提供比矽MOSFET更小、更高效的元件，用於高性能、佔板面積受限的應用。

全球行業領先供應商宜普電源轉換公司為業界提供增强型氮化鎵（eGaN^®）功率場效應電晶體和集成電路，新推40 V、典型值爲0.8 mΩ的EPC2066氮化鎵場效應電晶體，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵電晶體和可以立即發貨。

Easy Engineering媒體採訪了宜普電源轉換公司（EPC）的市場行銷總監Renee Yawger，瞭解目前氮化鎵元件應用的情況和氮化鎵技術的未來。

Easy Engineering
2022年5月
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宜普電源轉換公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應電晶體（EPC2071）,爲設計工程師提供比矽MOSFET更小、更高效的元件，用於高性能、佔板面積受限的應用。

全球行業領先供應商宜普電源轉換公司為業界提供增强型氮化鎵（eGaN^®）功率場效應電晶體和集成電路，最新推出100 V、典型值爲1.7 mΩ的EPC2071氮化鎵場效應電晶體，爲客戶提供更多可選的低壓氮化鎵電晶體和可以立即發貨。

以碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)材料為主流的寬能隙(WBG)半導體功率元件，在節能永續意識抬頭的今日成為各種電源系統應用的寵兒；2022年Tech Taipei系列研討會首度以WBG元件為題，邀請業界重量級業者，從設計、製造、測試等不同面向與現場超過400位聽眾分享最新技術與應用趨勢...

EE Times Taiwan
2022年3月
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當數據中心的伺服器轉用48 V架構，氮化鎵電晶體可以替代目前的矽MOSFET元件，性能得以進一步提升和成本可以更低。

Data Center Dynamics
2022年3月
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瑞薩電子(Renesas)的两相同步GaN升壓控制器與宜普電源轉換公司（EPC）的超高效eGaN^® FET相结合，實現了高功率密度和低成本的DC/DC轉換。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出12 V輸入、48 V輸出、500 W的DC/DC演示板（EPC9166）。該演示板展示出瑞薩電子ISL81807 80 V两相同步升壓控制器和宜普公司最新一代EPC2218EPC2218 eGaN FET，在開關頻率爲500 kHz的12 V输入到48 V穩壓輸出轉換中，效率超過96.5%。輸出電壓可配置为36 V、48 V和60 V。該板在没有散熱器的情况下，可提供480 W的功率。

EPC公司爲電源系統設計工程師提供全新的100 V、23 mΩ 功率電晶體（EPC2070），它採用微型芯片級封裝並提供34 Ａ脉衝電流，非常適合 60 W、48 V 電源轉換器、光達和 LED 照明等應用。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出100 V的氮化鎵電晶體（EPC2070），具有23 mΩ 的最大導通阻抗和34 A脉衝輸出電流，可在細小的1.1 mm²佔板面積實現高效功率轉換。

EPC推出了40 V、1.3 mΩ的氮化鎵場效應電晶體 （eGaN^® FET），元件型號爲EPC2067，專爲設計人員而設。EPC2067比MOSFET更小、更高效、更可靠，適用於高性能且空間受限的應用。

宜普電源轉換公司（EPC）是增强型矽基氮化鎵功率電晶體和積體電路的全球領導者。新推的EPC2067（典型值爲 1.3 mΩ、40 V）擴大了可選的低壓元件，可立即供貨。

EPC 推出了 40 V、1.6 mΩ的氮化鎵場效應電晶體 （eGaN^®FET），元件型號為EPC2069，專爲設計人員而設，EPC2069比目前市場上可選的元件更小、更高效、更可靠，適用於高性能且空間受限的應用。

宜普電源轉換公司（EPC）是增强型矽基氮化鎵 (eGaN)功率電晶體和集成電路的全球領導者。新推的EPC2069（典型值爲 1.6 mΩ、40 V）是更高性能的低壓元件，可立即供貨。

隨著數據處理基礎設施的持續快速增長，市場要求在最小的佔板面積內提供更高的功率。

Power Systems Design
2021年9月
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宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出新型EPC9149演示板。該板爲一款可提供1 kW功率的48 V输入、12 V输出的LLC轉換器，可作爲直流變壓器，轉換比爲4：1。EPC9149採用額定電壓爲100 V的EPC2218氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）和額定電壓爲40 V的EPC2024 。

EPC9149的尺寸是根據DOSA標準的1/8磚型，僅爲58.4 mm x 22.9 mm。輸出功率是1 kW時，EPC9149比基於硅元件的解決方案要小得多，後者的尺寸通常是1/4磚或大兩倍。不帶散熱器的轉換器的總厚度僅爲10 mm。爲了讓工程師能够輕鬆地複製這個设计，該電路板的所有設計資源，包括原理圖、物料清單和Gerber文件，都可以在EPC網站上找到。

The combination of the Renesas dual synchronous GaN buck controller and ultra-efficient eGaN^® FETs from EPC (Efficient Power Conversion) enables high power density and efficiency with the same BOM size and cost as silicon.

EL SEGUNDO, Calif.—  February, 2021 — EPC announces the availability of the EPC9157, a 300 W DC-DC demo board in the tiny 1/16^th brick size, measuring just 33 mm x 22.9 mm x 9mm (1.3 x 0.9 x 0.35 in). The EPC9157 demo board integrates the Renesas ISL81806 80 V dual synchronous buck controller with the latest-generation EPC2218 eGaN FETs from EPC to achieve greater than 95% efficiency for 48 V input to 12 V regulated output conversion at 25 A.  

The combination of MPS (Monolithic Power Systems) controllers with ultra-efficient eGaN^® FETs from EPC (Efficient Power Conversion) enable best-in-class power density of 1700 W/in³ in high efficiency, low cost LLC DC-DC Conversion

面向高功率密度和低成本的DC/DC轉換，EPC9151功率模組利用EPC2152 ePower™功率級實現性能更高和尺寸更小的解決方案。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC9151，这是一款300 W、雙向、超小尺寸的1/16磚型DC/DC降壓轉換器模組，其尺寸僅為33 mm x 22.9 mm (1.3”x 0.9”)。EPC9151採用Microchip公司的數位信號控制器（dsPIC33CK）和EPC公司的 ePower™ 功率級集成电路（EPC2152），於300 W、48 V/12 V的轉換器中，可以實現95％以上的效率，而且可以在這個可擴展的兩相設計中增加相數，使得功率可以更高。

宜普電源轉換公司（EPC）推出170 V、6.8毫歐的EPC2059氮化鎵場效應電晶體(eGaN^® FET），相比目前用於高性能48 V同步整流的元件，EPC為設計工程師提供更小型化、更高效、更可靠且成本更低的元件。

宜普電源轉換公司是增強型矽基氮化鎵（eGaN）功率場效應電晶體和積體電路的全球領先供應商，旨在提高產品性能而同時降低可發貨的氮化鎵電晶體的成本，推出EPC2059(6.8 mΩ、170 V)氮化鎵場效應電晶體，是100 V ~ 200 V解決方案系列的最新產品，該系列適用於廣闊的功率級並備有不同價格的元件可供選擇，滿足市場對48 V ~ 56 V伺服器和數據中心產品，以及一系列用於高端運算的消費類電源應用（包括遊戲PC，LCD / LED電視和LED照明）不斷增長的需求。

EPC公司進一步更新了其廣受歡迎的教育視頻播客系列，上載了６個影片，針對元件可靠性及基於氮化鎵場效應電晶體及積體電路的各種先進應用，包括面向人工智慧的高功率密度運算應用，面向機械人、無人機及車載應用的雷射雷達系統，以及Ｄ類放音訊放大器。

宜普電源轉換公司（EPC）更新了其廣受歡迎的“如何使用氮化鎵元件”的影片播客系列。剛剛上載的六個影片主要分享實用範例，目的是幫助設計師利用氮化鎵技術設計面向人工智慧伺服器及超薄筆記型電腦的先進DC/DC轉換器、面向機械人、無人機及自動駕駛車輛的雷射雷達系統，以及實現有可能是具有最高音質的音訊系統。

根據預測，到2025年，我們的數據將會超過175 zettabyte。當發明了 5G並將最早於2020年在日本舉行的奧運採用、以及通過人工智慧（AI）及機器學習（ML）的發展，建立數據中心和其部署、以及提升目前較舊的數據中心的效能，將進入突飛猛進的時代。

我深信氮化鎵（GaN）功率電晶體是數據中心功率架構的最理想元件，因為需要小型化、高效及快速開關的元件。氮化鎵元件在具48 VIN的所有拓撲，都可以實現最高的效率。

EDN
2019年6月
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