宜普電源轉換公司（EPC）宣佈擴大氮化鎵（GaN）積體電路（IC）系列，實現性能更高、更小巧且採用飛行時間（ToF）技術的雷射雷達應用，包括機器人、無人機、3D感測器，遊戲和自動駕駛汽車等應用。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出雷射驅動器IC（EPC21603），在單個晶片上集成了40 V、10 A 場效應電晶體、閘極驅動器和LVDS邏輯電平輸入，面向飛行時間（ToF）雷射雷達系統，用於機器人、無人機、擴增實境和遊戲等應用。

EPC2040, an eGaN^® power transistor optimized for LiDAR applications, placed first in the Passive Components & Discrete Semiconductors category of ECN magazine’s prestigious 2017 Impact Award.

EL SEGUNDO, Calif — November  2017 — Efficient Power Conversion Corporation’s (EPC) is proud to announce that Electronic Component News (ECN) — a leading trade publication for electronic design engineers — has awarded the EPC2040, enhancement mode gallium nitride (eGaN) transistor its ECN Impact Award for 2017 in the Passive Components and Discrete Semiconductors category.

EPC9126開發板基於具備超快速的轉換速度特性的eGaN^®FET，可通過大電流脈衝及低至5 ns的總脈寬來驅動雷射二極體，從而提高雷射雷達系統的偵測資料的質素，包括偵測資料的準確度、精准度及處理速度。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC9126評估板。該板是基於100 V大電流脈衝雷射電源設计，可驅動雷射二極體。在自動駕駛車的雷射雷達系統在自動駕駛車的雷射雷達系統中，偵測目標物件的速度及準確性非常重要。EPC9126評估板展示eGaN FET具備快速轉換速度的特性，與等效MOSFET相比，eGaN FET可以高達快十倍的速度提供功率脈衝來驅動雷射二極體，從而提高LiDAR系統的整體性能。

宜普電源轉換公司首席執行長及共同創辦人Alex Lidow在本PSDcast中與Power Systems Design 的Alix Paultre分享氮化鎵技術的發展趨勢。目前業界終於從多個製造商出發，開發出氮化鎵技術可以實現的各種解決方案，讓我們看到實際的design-in項目及基於氮化鎵功率元件的產品的出現。

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Power Systems Design
2016年7月21日

全新的EPC2040氮化鎵場效應電晶體（eGaN^®FET）具備超快速開關性能，可以支援需要更高解析度及準確性、使用脈衝式鐳射驅動器的應用，諸如在擴增實景（augmented reality）系統及全自動駕駛汽車中，利用光學遙感技術（LiDAR）、三維感測的導航系統。

宜普電源轉換公司宣佈推出EPC2040功率電晶體，它是一種超小型、具備快速開關性能的氮化鎵功率電晶體，面向高速終端應用，可實現優越的解析度、更快速的反應時間及更高準確度。此外，由於在整個工作溫度範圍內，元件具有高準確度閾值，因此當鐳射受熱，可確保系統的穩定性。例如該電晶體在LiDAR技術所採用的脈衝式鐳射驅動器是理想的元件。LiDAR技術是全自動駕駛汽車的導航系統及擴增實景平臺的重要技術。EPC2040的優越性能在這些系統中可以實現更高準確度及解析度。