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EPC推出基於氮化鎵元件的12 V/48 V、500 W 升壓轉換器演示板, BOM尺寸矽與元件相同,可實現高效率和高功率密度

EPC推出基於氮化鎵元件的12 V/48 V、500 W 升壓轉換器演示板, BOM尺寸矽與元件相同,可實現高效率和高功率密度

瑞薩電子(Renesas)的两相同步GaN升壓控制器與宜普電源轉換公司(EPC)的超高效eGaN® FET相结合,實現了高功率密度和低成本的DC/DC轉換。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出12 V輸入、48 V輸出、500 W的DC/DC演示板(EPC9166)。該演示板展示出瑞薩電子ISL81807 80 V两相同步升壓控制器和宜普公司最新一代EPC2218EPC2218 eGaN FET,在開關頻率爲500 kHz的12 V输入到48 V穩壓輸出轉換中,效率超過96.5%。輸出電壓可配置为36 V、48 V和60 V。該板在没有散熱器的情况下,可提供480 W的功率。

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EPC推出由氮化鎵場效應電晶體驅動且可擴展的 1.5 kW 48 V/12 V DC/DC演示板,為輕混電動車和電池備用裝置提供 更高效、更小、更快的雙向轉換器

EPC推出由氮化鎵場效應電晶體驅動且可擴展的 1.5 kW 48 V/12 V DC/DC演示板,為輕混電動車和電池備用裝置提供 更高效、更小、更快的雙向轉換器

EPC9137是一款兩相是48 V/12 V雙向轉換器,以小型化解决方案提供1.5 kW功率,效率爲97%,適用於輕混電動車和電池電源備用裝置。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC9137,這是一款1.5 kW的兩相48 V/12 V雙向轉換器,占板面積小,效率爲97%。 該演示板的設計是可擴展的 – 並聯兩個轉換器可實現3 kW,或者並聯3個轉換器可實現4.5 kW。該板使用4個100 V的eGaN®FET(EPC2206),幷且由一個包括Microchip dsPIC33CK256MP503 16位數字控制器的模組控制。

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Building the Smallest and Most Efficient 48 V to 5 - 12 V DC to DC using eGaN FETs and ICs

The Power and Evolution of GaN – Part 2 of 6 part series

Building the Smallest and Most Efficient 48 V to 5 - 12 V DC to DC using eGaN FETs and ICs

With the power architecture transition from a 12 V to a 48 V bus power distribution in modern data centers, there is an increased demand to improve 48 V power conversion efficiency and power density. In this context, DC-DC converters designed using eGaN® FETs and ICs provide a high efficiency and high power density solution. Additionally, with the advent of 48 V power systems in mild-hybrid, hybrid and plug-in hybrid electric vehicles, GaN transistors can provide a reduction in size, weight, and Bill of Materials (BOM) cost.

Power Systems Design
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面向48 V轉到1-2 V/10 A的應用,採用基於氮化鎵元件的 VRM混合式轉換器可實現 95%效率

面向48 V轉到1-2 V/10 A的應用,採用基於氮化鎵元件的 VRM混合式轉換器可實現 95%效率

在48 V匯流排架構出現後,我們可採用全新、基於氮化鎵(GaN)電晶體的混合式轉換器,以實現超過95%峰值效率及225 W/in3 功率密度。對於節能的數據中心來說,輕負載效率非常重要。基於氮化鎵電晶體的轉換器在轉換至20%負載時,可保持高於90%的效率。

PowerPulse
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