EPC的GaN專家將在其APEC展位展示各種應用所採用的最新一代GaN FET 和 IC。

宜普電源轉換公司(EPC)是增强型氮化鎵FET和IC領域的全球領導者，將於3月19日至23日在奧蘭多舉行的IEEE APEC 2023會議上發表多項技術演講，詳情請參閱下方時間表。此外，我們還會在奧蘭治縣會議中心的732號展位展示最新一代的 eGaN^®FET和IC，其應用範圍包括高功率密度計算、電動汽車、機器人、太陽能、電池充電等。歡迎蒞臨參觀“GaN之牆”,我們提供市場上最廣泛的氮化鎵功率半導體產品組合，可現成交付。

Five times smaller than an equivalent silicon MOSFET and twice as powerful as the previous generation of eGaN devices is the new sixth generation of devices introduced by Efficient Power Conversion (EPC). We asked CEO Alex Lidow in the video.

Electroniknet.de
November 29, 2022
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EPC推出80 V、通過AEC-Q101 認證的氮化鎵場效應電晶體（GaN FET）EPC2252，為設計人員提供比矽MOSFET更小和更高效的解決方案，用於車規級光達、48 V/12 V DC/DC轉換和低電感馬達控制器。

作為增强型氮化鎵 (eGaN^®)FET和IC的全球領導者，宜普電源轉換公司（EPC）進一步擴大已有現貨供應的車規級氮化鎵電晶體系列，推出80 V、11 mΩ、在 1.5 mm x 1.5 mm封裝內提供75 A脉衝電流的EPC2252，比矽MOSFET更小和更高效，適用於自動駕駛和其他先進駕駛輔助系統應用中的車規級光達、48 V/12 V DC/DC轉換和低電感馬達控制器。

宜普電源轉換公司（EPC）和立錡科技（Richtek）携手推出新型快充參考設計，使用RT6190降壓-升壓控制器和氮化鎵場效應電晶體EPC2204，可實現超過98%的效率。

宜普電源轉換公司和立錡科技宣佈推出4開關雙向降壓-升壓控制器參考設計，可將12 V~24 V的輸入電壓轉換爲5 V~20 V的穩壓輸出電壓，並提供高達5 A的連續電流和6.5 A的最大電流。與高功率密度應用的傳統解決方案相比，新型RT6190控制器與EPC的超高效氮化鎵場效應電晶體EPC2204相結合，使得解決方案尺寸可縮小20%以上，而且在20 V和12 V輸出電壓下，可實現超過98%的效率。在不需使用散熱器和5 A連續電流下，20 V轉5 V的最大升溫低於攝氏15度，而12 V轉20 V的最高升溫則低於·攝氏55度。

This paper deals with the application of the latest generation low voltage (up to 80 V) Gallium Nitride (GaN) devices for motor drive applications in the field of electric micro-mobility. A two-level inverter topology oriented to light electric traction (such as electric scooters) with a power rate of 1500 W has been considered. An experimental board using two GaN FETs in parallel connection for each switch of an inverter leg has been arranged. The intrinsic parameters spread of the device, as well as the leakage inductances of both the circuit and the PCB, to evaluate the impact on the current share during both the transient phase and in the steady state have been investigated. In the paper, several simulation runs have been carried out and described. Furthermore, the inverter experimental board has been used to evaluate the phase voltages and currents at different load conditions. Finally, the temperature limits versus phase current variation have been evaluated.

IEEE 2022 AEIT International Annual Conference (AEIT)
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Note: This site requires IEEE membership to access full paper.

In this article EPC explains the improved performance in their Gen 6 GaN FETs and how the resulting devices can achieve the same R_DS(on) as previous generation devices in die that are half the size.

How2Power
November, 2022
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GaN FETs help Solarnative achieve industry-leading power density for solar microinverters, enabling module frame integration to solve the challenges of solar power installation.

EL SEGUNDO, Calif.— November 2022 Solarnative uses GaN devices in its new microinverter to achieve industry-best power density.  The Power Stick is the smallest inverter in the world, with dimensions of 23.9 by 23,2 by 404 millimeters. With an AC output power of 350 W, the volume of 0.19 liters corresponds to a power density of 1.6 kW per liter. By comparison, the IQ 7A microinverter from a market leading supplier delivers 349 watts with a volume of 1.12 liters, corresponding to 0.31 kW per liter – not even one-fifth of the Solarnative device. Despite the extreme size reduction, the European efficiencies are quite comparable, at 96.0 percent for the Power Stick and 96.5 percent for the IQ 7A.

From Nov. 15 to 18, electronica 2022 will bring the international electronics industry together at the Munich exhibition grounds. Wide Bandgap Semiconductors, Renewable Energies, Smart Grid, and Energy Storage will be the major topics covered by the Power Electronics Forum at electronica 2022. In this podcast, onsemi president and CEO Hassane El-Khoury, Silanna Semiconductor North America CEO Mark Drucker, and of Efficient Power Conversion (EPC) CEO Alex Lidow will introduce the Power Electronics Forum. Interview with Alex Lidow starts at 31:55

EETimes
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基於氮化鎵元件的EPC9167 逆变器参考設計提高馬達系统性能、範圍、精度、扭矩並同時降低整體系统成本。該逆變器尺寸超小，可整合到電機外殼中，從而實現具有最低 EMI、最高功率密度和最輕的馬達驅動逆變器。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出 EPC9167，這是一款採用 EPC2065 eGaN^® FET的三相 BLDC馬達驅動逆變器。EPC9167在14 V和60 V（標稱48 V）之間的輸入電壓下工作，並備有两種配置——標準和大電流版本：

The year 2021 was a transitional year in which the world decided to open its doors to GaN. In this interview with Power Electronics News during CES week, GaN industry experts confirmed that GaN is now proving its superiority over silicon.

Power Electronics News
January, 2022
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EPC公司爲電源系統設計工程師提供全新的100 V、23 mΩ 功率電晶體（EPC2070），它採用微型芯片級封裝並提供34 Ａ脉衝電流，非常適合 60 W、48 V 電源轉換器、光達和 LED 照明等應用。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出100 V的氮化鎵電晶體（EPC2070），具有23 mΩ 的最大導通阻抗和34 A脉衝輸出電流，可在細小的1.1 mm²佔板面積實現高效功率轉換。

Today, the permanent magnet motor, also known as DC brushless motor (BLDC), is widely used and offers higher torque capability per cubic inch and higher dynamics when compared to other motors. So far, silicon-based power devices have been dominant in the inverter electronics, but today their performance is nearing their theoretical limits. There is an increasing need for higher power density. Gallium nitride (GaN) transistors and ICs have the best attributes to satisfy these needs.

Power Systems Design
November, 2021
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航太應用的技術發展是 2021 年的重要組成部份，因此更多的抗輻射元件即將問世。 最近新推兩款新型場效應電晶體，它們給航太領域帶來了甚麽？

All About Circuits
2021 年 6 月
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宜普電源轉換公司（EPC）宣佈擴大氮化鎵（GaN）積體電路（IC）系列，實現性能更高、更小巧且採用飛行時間（ToF）技術的雷射雷達應用，包括機器人、無人機、3D感測器，遊戲和自動駕駛汽車等應用。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出雷射驅動器IC（EPC21603），在單個晶片上集成了40 V、10 A 場效應電晶體、閘極驅動器和LVDS邏輯電平輸入，面向飛行時間（ToF）雷射雷達系統，用於機器人、無人機、擴增實境和遊戲等應用。

Gallium nitride power device technology enables a new generation of power converters in space operating at higher frequencies, higher efficiencies, and greater power densities than everachievable before. GaN power devices can also exhibit superior radiation tolerance compared with Silicon MOSFETs depending upon their device design.

Power Electronics Europe
December, 2020
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就像生活要面對現實一樣，老年人離開舞臺而讓位給年輕人，矽元件也是需要向現實低頭。 隨著氮化鎵元件的問世和普及，正逐步淘汰舊有可靠的矽元件。 在過去的四十年中，隨著功率MOSFET元件的結構、技術和電路拓撲的創新與不斷增長的電力需求同步發展，電源管理的效率和成本一直以來得以穩步改善。 但是，在業界發展的新時代，隨著矽功率MOSFET元件接近其理論極限，其演進速度下降了很多。 同時，新材料氮化鎵的理論性能極限穩步發展，其性能極限比老化的MOSFET元件高出6,000倍，並且比目前市場上最好的氮化鎵產品高出300倍。

EEWeb
2020年7 月16日
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在EEWorld “虛擬圓桌會議” 關於D類音訊的討論的第二部份中，我們的小組成員深入探討了新興氮化鎵元件（GaN）對D類設計的影響：矽元件在哪方面仍然佔主導地位？ 在D類放大器中使用GaN的性能優勢是什麼？ D類放大器中GaN與矽的未來預期趨勢如何？

參加這個虛擬圓桌會議包括Analog Devices公司音訊系統架構師Joshua LeMaire（JL）、 宜普電源轉換公司（EPC）戰略技術銷售副總裁Steve Colino（SC）和 英飛淩（Infineon ）D類音訊應用工程主管Jens Tybo Jensen（JTJ）。

EEWorld Online
2020年7月
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在超過四十年中，隨著功率MOSFET元件的結構、技術和電路拓撲的創新，可滿足不斷增長的電力需求，因此改善了電源管理的效率和成本。 然而，在這新世紀的發展，隨著矽功率MOSFET元件已經接近其理論極限，其改進速度已大為減慢。 與此同時，一種全新材料 - 氮化鎵（GaN）- 正朝著新的理論性能領域的方向，穩步發展，其性能是老化的MOSFET元件的6,000倍，以及是目前市場的最優越GaN元件的300倍。

EETimes
2020年6月
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矽功率MOSFE追不上目前功率電子業界的演進步伐 -- 業界需要具備高效、高功率密度及細小的外型尺寸的元件。業界看到矽MOSFET已經達到它的理論極限，從而需要找出全新元件。氮化鎵（GaN）是一種HEMT元件，具備附加增值的優勢，被證明為可以支持全新應用的要求。

Power Electronics News
2020年3月25日
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EPC及Spirit Electronics公司攜手為客戶提供領導業界的氮化鎵功率元件的特定製造批次的資料服務。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈與Spirit Electronics公司攜手為客戶提供一系列氮化鎵功率元件的特定批次的數據。

宜普公司首席執行長及共同創辦人Alex Lidow說：「Spirit Electronics具備與國防及宇航客戶的豐富合作經驗，我們攜手為嚴峻應用環境所需，為客戶增值而提供氮化鎵（eGaN）功率半導體的特定批次的資料包。」