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增強型氮化鎵功率元件的耐輻射性能

增強型氮化鎵功率元件的耐輻射性能

增強型氮化鎵(eGaN®)技術使能新一代功率轉換器,讓轉換器能夠在更高的頻率、更高的效率和前所未有的高功率密度下工作。 與矽MOSFET元件相比,eGaN元件還具有更優越的耐輻射性能。

Bodo’s Power Systems
2020年7月
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宜普電源轉換公司提供氮化鎵(eGaN)功率元件的晶圓

宜普電源轉換公司提供氮化鎵(eGaN)功率元件的晶圓

為了使得客戶易於集成功率系統,宜普電源轉換公司(EPC)為客戶提供領導業界的氮化鎵功率元件的晶圓。

EPC公司宣佈推出領導業界的增強型氮化鎵元件的晶圓,使得客戶易於集成功率系統。EPC公司的氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)及積體電路一直以來都是以單個並包含錫條或錫球的晶片級元件出售。

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EPC擴大亞洲團隊,針對客戶解決方案釋放創新力量

EPC擴大亞洲團隊,針對客戶解決方案釋放創新力量

作為為支持DC/DC、雷射雷達(LiDAR)、無線電源應用等方面不斷擴大的客戶群進行擴展的一部分,宜普電源轉換公司(EPC)擴大了其在亞洲的團隊,增加的新成員將與整個亞太地區21個地區的客戶保持密切聯繫。

2018年11月28日— 為了支援在亞太地區正在加速的銷售增長,宜普電源轉換公司(EPC)宣佈擴大亞太地區的銷售和FAE團隊,以支援其不斷擴大的客戶群,積極獲取全新的業務發展及抓緊全新的市場商機。

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