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Sharge Selects GaN FETs from EPC for High-power USB PD Charger

Sharge Selects GaN FETs from EPC for High-power USB PD Charger

EL SEGUNDO, Calif.—  March 2023 – Efficient Power Conversion (EPC), the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride FETs and ICs, has teamed up with SHARGE Technology (SHARGE) to design a 67 W USB PD charger with a power display screen. The Retro 67 fast charger uses EPC’s 100 V GaN FET, EPC2218, which can deliver 231 A pulsed current in a tiny footprint of 3.5 mm x 1.95 mm offering designers a significantly smaller, more efficient device than silicon MOSFET for USB PD fast chargers.

EPC2218 provides SHARGE’s All-GaN fast charger with higher efficiency, state-of-the-art power density and lower system cost.

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GaN 的功率和演變- 第5部分:採用eGaN FET和積體電路構建低成本、高效的12 V - 1 V 負載點轉換器

GaN 的功率和演變- 第5部分:採用eGaN FET和積體電路構建低成本、高效的12 V - 1 V 負載點轉換器

氮化鎵元件對提升主流應用的效率的貢獻很大,例如在傳統矽基12 V - 1 V負載點 DC/DC轉換器。基於eGaN積體電路的12 V轉到1 V、12 A負載轉換器在5 MHz的頻率下,可以實現78%峰值效率及1000 W/in3 功率密度,而成本則低於每瓦0.2美元。

Power Systems Design
2019年1月
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