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Efficient Energy Technology (EET) 的SolMate選用了EPC氮化鎵元件,使效率倍增和延長了產品使用壽命

Efficient Energy Technology (EET) 的SolMate選用了EPC氮化鎵元件,使效率倍增和延長了產品使用壽命

Efficient Energy Technology GmbH(EET)位於奧地利,是設計和生產創新、用於陽臺的小型發電廠的先驅。EET公司選用了宜普電源轉換公司(EPC)的增强型氮化鎵(eGaN®)功率電晶體(EPC2204), 用於其新型SolMate®綠色太陽能陽臺產品。EPC2204在低RDS(on)和低COSS之間實現了最佳折衷,這對於要求嚴格的硬開關應用至關重要,同時在緊凑的封裝中實現100 V的汲-源擊穿電壓。這種緊凑型設計顯著縮小了PCB的尺寸,保持較小的電流廻路和最大限度地減少EMI。

EET公司結合了EPC的氮化鎵元件和其SolMate MPPT充電轉換器,以實現多種優勢:效率損失半和整體效率從96%提高到98%。轉換器的體積縮減了70%、BOM和製造成本降低了 20%,而且同時降低了對散熱的要求。此外,由於開關頻率提高了10倍,因此無需使用易於引發問題的電解電容器,從而延長了轉換器的使用壽命。

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歡迎蒞臨APEC 2023展覽會與GaN專家會面 以瞭解最新一代功率半導體如何針對各業界需求,實現最佳功率密度

歡迎蒞臨APEC 2023展覽會與GaN專家會面 以瞭解最新一代功率半導體如何針對各業界需求,實現最佳功率密度

EPC的GaN專家將在其APEC展位展示各種應用所採用的最新一代GaN FET 和 IC。

宜普電源轉換公司(EPC)是增强型氮化鎵FET和IC領域的全球領導者,將於3月19日至23日在奧蘭多舉行的IEEE APEC 2023會議上發表多項技術演講,詳情請參閱下方時間表。此外,我們還會在奧蘭治縣會議中心的732號展位展示最新一代的 eGaN®FET和IC,其應用範圍包括高功率密度計算電動汽車機器人太陽能、電池充電等。歡迎蒞臨參觀“GaN之牆”,我們提供市場上最廣泛的氮化鎵功率半導體產品組合,可現成交付。

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EPC新推200 V、10 mΩ、採用QFN封裝的GaN FET, 實現高效靈活設計

EPC新推200 V、10 mΩ、採用QFN封裝的GaN FET, 實現高效靈活設計

宜普電源轉換公司(EPC)推出200 V、10 mΩ的EPC2307,完善了額定電壓為 100 V、150 V和200 V的6個GaN電晶體系列,提供更高的性能、更小的解決方案和易於設計的DC/DC轉換、AC/DC SMPS和充電器、太陽能優化器和微型逆變器,以及馬達控制器。

全球增强型氮化鎵FET和IC領導者EPC推出 200 V、10 mΩ的EPC2307,採用耐熱增强型QFN封裝,佔位面積僅為3 mm x 5 mm。

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立錡科技與宜普電源轉換携手推出小型化、140 W快充解决方案

立錡科技與宜普電源轉換携手推出小型化、140 W快充解决方案

宜普電源轉換公司(EPC)和立錡科技(Richtek)携手推出新型快充參考設計,使用RT6190降壓-升壓控制器和氮化鎵場效應電晶體EPC2204,可實現超過98%的效率。

宜普電源轉換公司和立錡科技宣佈推出4開關雙向降壓-升壓控制器參考設計,可將12 V~24 V的輸入電壓轉換爲5 V~20 V的穩壓輸出電壓,並提供高達5 A的連續電流和6.5 A的最大電流。與高功率密度應用的傳統解決方案相比,新型RT6190控制器與EPC的超高效氮化鎵場效應電晶體EPC2204相結合,使得解決方案尺寸可縮小20%以上,而且在20 V和12 V輸出電壓下,可實現超過98%的效率。在不需使用散熱器和5 A連續電流下,20 V轉5 V的最大升溫低於攝氏15度,而12 V轉20 V的最高升溫則低於·攝氏55度。

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Lowest On-resistance 150 V and 200 V Transistors on the Market Now Shipping from GaN Leader EPC

Lowest On-resistance 150 V and 200 V Transistors on the Market Now Shipping from GaN Leader EPC

Efficient Power Conversion (EPC) introduces the 150 V, 3 mΩ EPC2305 and the 200 V, 5 mΩ EPC2304 GaN FETs offering higher performance and smaller solution size and cost for DC-DC conversion, AC/DC SMPS and chargers, solar optimizers and microinverters, and motor drives.

EL SEGUNDO, Calif.— December 2022 — EPC, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride FETs and ICs, introduces the 150 V, 3 mΩ EPC2305 and the 200 V, 5 mΩ EPC2304 GaN FETs in a thermally enhanced QFN package with exposed top and tiny 3 mm x 5 mm footprint.

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Solarnative Uses GaN Devices to Solve the Challenge of Solar Power Installation with its New Microinverter that Integrates into the Module Frame

Solarnative Uses GaN Devices to Solve the Challenge of Solar Power Installation with its New Microinverter that Integrates into the Module Frame

GaN FETs help Solarnative achieve industry-leading power density for solar microinverters, enabling module frame integration to solve the challenges of solar power installation.

EL SEGUNDO, Calif.— November 2022 Solarnative uses GaN devices in its new microinverter to achieve industry-best power density.  The Power Stick is the smallest inverter in the world, with dimensions of 23.9 by 23,2 by 404 millimeters. With an AC output power of 350 W, the volume of 0.19 liters corresponds to a power density of 1.6 kW per liter. By comparison, the IQ 7A microinverter from a market leading supplier delivers 349 watts with a volume of 1.12 liters, corresponding to 0.31 kW per liter – not even one-fifth of the Solarnative device. Despite the extreme size reduction, the European efficiencies are quite comparable, at 96.0 percent for the Power Stick and 96.5 percent for the IQ 7A.

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基於GaN FET封裝兼容的解決方案可實現性能和成本優化並同時提高功率密度和熱性能

基於GaN FET封裝兼容的解決方案可實現性能和成本優化並同時提高功率密度和熱性能

宜普電源轉換公司(EPC)新推100 V、3.8 mΩ 的氮化鎵場效應電晶體EPC2306,為高功率密度應用提供性能更高和更小的解決方案,包括 DC/DC 轉換、AC/DC 充電器、太陽能優化器和微型逆變器、馬達控制器和D類音頻放大器等應用。

宜普電源轉換公司是增强型氮化鎵 (eGaN®) 功率 FET 和 IC 領域的全球領導者,新推100 V、採用耐熱增强型QFN封裝的EPC2306,用於高密度計算應用的48 V DC/DC轉換、電動汽車和機器人的 48 V BLDC 馬達控制器、太陽能優化器和微型逆變器,以及 D 類音頻放大器

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BRC Solar的新一代太陽能優化器採用EPC的100 V氮化鎵元件(eGaN FET)

BRC Solar的新一代太陽能優化器採用EPC的100 V氮化鎵元件(eGaN FET)

BRC Solar公司的新型M500/14功率優化器採用EPC公司的100 V 氮化鎵元件(EPC2218),它的佔板面積小,可實現更高的頻率和額定功率。

BRC Solar公司憑藉其功率優化器徹底改變了光伏市場的發展、提高了光伏電站和系統的發電量和性能。其新一代M500/14 功率優化器採用了宜普電源轉換公司的EPC2218(100 V的場效應電晶體),實現了更高的功率密度,因為GaN FET的低功耗和小尺寸使關鍵負載電路更加緊凑。而GaN FET的小寄生電容和電感可實現沒有雜訊的開關和良好的EMI特性。GaN FET的另一個優點是沒有反向恢復損耗。

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EPC 新推 350 V的氮化鎵功率電晶體,比同類矽元件小 20 倍及成本更低

EPC 新推 350 V的氮化鎵功率電晶體,比同類矽元件小 20 倍及成本更低

氮化鎵功率電晶體EPC2050專爲功率系統設計人員而設計,在極小的晶片級封裝中實現 350 V、80 mΩ 最大 RDS(on)和26 A 峰值電流,是多電平轉換器、電動汽車充電、太陽能逆變器、光達和 LED 照明的理想元件。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出 EPC2050,這是一款 350 V GaN 電晶體,最大 RDS(on) 為 80 mΩ,脉衝輸出電流爲 26 A。 EPC2050 的尺寸僅為 1.95 mm x 1.95 mm。與採用等效矽元件的解決方案相比,基於EPC2050的解決方案的佔板面積小十倍。

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EPC公司推出65 A ePower晶片組,重新定義功率轉換

EPC公司推出65 A ePower晶片組,重新定義功率轉換

宜普電源轉換公司(EPC)推出ePower晶片組系列。該系列集成了100 V氮化鎵驅動器和場效應電晶體,可實現高達65 A的輸出電流,爲高功率密度應用提供更高的性能和更小型化的解決方案,包括DC/DC轉換和馬達控制等應用。

宜普電源轉換公司宣佈推出100 V、65 A的積體電路晶片組,專爲48 V DC/DC轉換而設計,用於高密度運算應用和用於電動汽車、機器人和無人機的48 V BLDC馬達控制器。

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宜普電源轉換公司(EPC)的200 V 氮化鎵產品系列(eGaN FET)的性能提升一倍

宜普電源轉換公司(EPC)的200 V 氮化鎵產品系列(eGaN FET)的性能提升一倍

新一代200 V 氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)是48 VOUT同步整流、D類音訊放大器、太陽能微型逆變器和功率優化器,以及多電平、高壓AC / DC轉換器的理想功率元件。

增強型矽基氮化鎵(eGaN)功率場效應電晶體和積體電路的全球領導廠商宜普電源轉換公司(EPC)最新推出的兩款200 V eGaN FET(EPC2215EPC2207 ),性能更高而同時成本更低,目前已有供貨。採用這些領先氮化鎵元件的應用十分廣闊,包括D類音訊放大器、同步整流器、太陽能最大功率點追蹤器(MPPT)、DC/DC轉換器(硬開關和諧振式),以及多電平高壓轉換器。

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