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GaN FET可實現5130 W/in3 的基準功率密度,支持人工智慧和先進計算應用

GaN FET可實現5130 W/in3 的基準功率密度,支持人工智慧和先進計算應用

EPC9159是一款1 kW、48 V/12 V的LLC轉換器,佔板面積僅為17.5 mm x 22.8 mm,可實現 5130 W/in3 最先進的功率密度。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC9159參考設計。這是一款48 V/12 V的LLC轉換器,專為48 V高功率密度伺服器電源和DC/DC轉換器而設計。該參考設計可在17.5 mm x 22.8 mm的微小封裝內提供高達1 kW的功率,其功率密度為5130 W/in3。這是在初級側和次級側電路中採用於高開關頻率工作的氮化鎵(GaN)功率元件才可以實現的。

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EPC在APEC 2022展會上展示GaN技術如何 爲48 V應用帶來革命性突破

EPC在APEC 2022展會上展示GaN技術如何 爲48 V應用帶來革命性突破

EPC公司的氮化鎵專家將在APEC展會分享多項現場演示以闡釋氮化鎵技術如何爲許多行業的功率轉換帶來革命性突破,包括計算、通信和e-mobility。

宜普電源轉換公司(EPC)團隊將於3月20日至24日在休斯頓舉行的IEEE應用電力電子會議和博覽會(APEC 2022)上進行多場關於氮化鎵技術的演講和專業研討會,詳請如下。 此外,我們將在1302號展位展出採用新型eGaN®FET 和 IC的客戶的最新產品。

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EPC擴大了 40 V eGaN FET的產品陳容, 新產品是高功率密度電信、網通和計算解决方案的理想元件

EPC擴大了 40 V eGaN FET的產品陳容, 新產品是高功率密度電信、網通和計算解决方案的理想元件

EPC 推出了 40 V、1.6 mΩ的氮化鎵場效應電晶體 (eGaN®FET),元件型號為EPC2069,專爲設計人員而設,EPC2069比目前市場上可選的元件更小、更高效、更可靠,適用於高性能且空間受限的應用。

宜普電源轉換公司(EPC)是增强型矽基氮化鎵 (eGaN)功率電晶體和集成電路的全球領導者。新推的EPC2069(典型值爲 1.6 mΩ、40 V)是更高性能的低壓元件,可立即供貨。

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