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EPC 新推 350 V的氮化鎵功率電晶體,比同類矽元件小 20 倍及成本更低

EPC 新推 350 V的氮化鎵功率電晶體,比同類矽元件小 20 倍及成本更低

氮化鎵功率電晶體EPC2050專爲功率系統設計人員而設計,在極小的晶片級封裝中實現 350 V、80 mΩ 最大 RDS(on)和26 A 峰值電流,是多電平轉換器、電動汽車充電、太陽能逆變器、光達和 LED 照明的理想元件。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出 EPC2050,這是一款 350 V GaN 電晶體,最大 RDS(on) 為 80 mΩ,脉衝輸出電流爲 26 A。 EPC2050 的尺寸僅為 1.95 mm x 1.95 mm。與採用等效矽元件的解決方案相比,基於EPC2050的解決方案的佔板面積小十倍。

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50 W、12 V/60 V且基於eGaN FET的升壓轉換器, 爲筆記型電腦和PC顯示器背光提供高效、簡單和低成本的解決方案

50 W、12 V/60 V且基於eGaN FET的升壓轉換器, 爲筆記型電腦和PC顯示器背光提供高效、簡單和低成本的解決方案

50 W、12 V/60 V且基於eGaN® FET的同步升壓轉換器採用簡單、低成本的拓樸結構,可實現 95.3%的峰值效率和低温升。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出雙向降壓或反向升壓轉換器演示板(EPC9162)。該演示板用於同步轉換器時採用100 V的EPC2052元件,以及用於同步自舉FET電路時,採用EPC2038元件。

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