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GaN FET可實現5130 W/in3 的基準功率密度,支持人工智慧和先進計算應用

GaN FET可實現5130 W/in3 的基準功率密度,支持人工智慧和先進計算應用

EPC9159是一款1 kW、48 V/12 V的LLC轉換器,佔板面積僅為17.5 mm x 22.8 mm,可實現 5130 W/in3 最先進的功率密度。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC9159參考設計。這是一款48 V/12 V的LLC轉換器,專為48 V高功率密度伺服器電源和DC/DC轉換器而設計。該參考設計可在17.5 mm x 22.8 mm的微小封裝內提供高達1 kW的功率,其功率密度為5130 W/in3。這是在初級側和次級側電路中採用於高開關頻率工作的氮化鎵(GaN)功率元件才可以實現的。

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EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化鎵場效應電晶體

EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化鎵場效應電晶體

宜普電源轉換公司(EPC)新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應電晶體(EPC2071),爲設計工程師提供比矽MOSFET更小、更高效的元件,用於高性能、佔板面積受限的應用。

全球行業領先供應商宜普電源轉換公司為業界提供增强型氮化鎵(eGaN®)功率場效應電晶體和集成電路,最新推出100 V、典型值爲1.7 mΩ的EPC2071氮化鎵場效應電晶體,爲客戶提供更多可選的低壓氮化鎵電晶體和可以立即發貨。

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EPC推出用於高功率密度電源轉換和光達應用的100 V eGaN功率電晶體

EPC推出用於高功率密度電源轉換和光達應用的100 V eGaN功率電晶體

EPC公司爲電源系統設計工程師提供全新的100 V、23 mΩ 功率電晶體(EPC2070),它採用微型芯片級封裝並提供34 A脉衝電流,非常適合 60 W、48 V 電源轉換器、光達和 LED 照明等應用。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出100 V的氮化鎵電晶體(EPC2070),具有23 mΩ 的最大導通阻抗和34 A脉衝輸出電流,可在細小的1.1 mm2佔板面積實現高效功率轉換。

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EPC公司的40 V eGaN FET是高功率密度電訊、 網通和運算解决方案的理想元件

EPC公司的40 V eGaN FET是高功率密度電訊、 網通和運算解决方案的理想元件

EPC推出了40 V、1.3 mΩ的氮化鎵場效應電晶體 (eGaN® FET),元件型號爲EPC2067,專爲設計人員而設。EPC2067比MOSFET更小、更高效、更可靠,適用於高性能且空間受限的應用。

宜普電源轉換公司(EPC)是增强型矽基氮化鎵功率電晶體和積體電路的全球領導者。新推的EPC2067(典型值爲 1.3 mΩ、40 V)擴大了可選的低壓元件,可立即供貨。

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