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EPC新推實現超低導通電阻的200 V抗輻射電晶體, 用於要求嚴格的航太應用

EPC新推實現超低導通電阻的200 V抗輻射電晶體, 用於要求嚴格的航太應用

宜普電源轉換公司(EPC)擴展了其抗輻射氮化鎵產品系列,新推的200 V產品用於要求嚴格的機載和其他高可靠性環境下的電源轉換解決方案,它具備超低導通電阻和極小型化等優勢。

EPC公司宣佈推出200 V、25 mΩ、80 APulsed的抗輻射GaN FET EPC7007。尺寸小至5.76 mm2,其總劑量等級大於1 Mrad,綫性能量轉移(LET)的單一事件效應(SEE)抗擾度為85 MeV/(mg/cm2)。與商用eGaN FET和IC系列相同,採用芯片級封裝。 封裝元件將由EPC Space提供。

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