EPC推出採用緊凑型QFN封裝( 3 mm x 5 mm)的100 V、1 mOhm GaN FET (EPC2361)，助力DC/DC轉換、快充、馬達控制和太陽能 MPPT等應用實現更高的功率密度。

2024 年 2 月27日 — 全球增强型氮化鎵 (GaN) 功率 FET 和 IC領域的領導者宜普電源轉換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm （EPC2361）。 這是市場上具有最低導通電阻的 GaN FET，與 EPC 的上一代産品相比，功率密度提高了一倍。

宜普電源轉換公司(EPC) 擴展了其封裝兼容的ePower™ IC系列，提高功率密度和簡化設計以滿足DC/DC應用、馬達控制器和D類音頻放大器的不同功率要求。

繼早前推出的100 V、35 A功率級IC（EPC23102）之後，EPC公司新推兩款100V功率級IC，其額定電流分別為15 A(EPC23104)和25 A(EPC23103)。