氮化鎵積體電路：提高伺服器的功效 --不論是大、小規模的數據中心都要面對減低功耗、冷卻及佔用空間等問題，而這些問題也是在伺服器內所面臨及需要解決的問題。有的時候，細微的改變也可帶來重大的效益。

TechBeacon
2016年8月2日
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EPC9004開發板內含氮化鎵場效應電晶體及採用德州儀器公司專為驅動氮化鎵場效應電晶體而設的閘極驅動器

宜普電源轉換公司(EPC)在2013年2月5日宣佈推出採用增強型氮化鎵場效應電晶體的EPC9004開發板, 展示最新推出、專為驅動氮化鎵場效應電晶體而優化的積體電路閘極驅動器,可幫助設計工程師簡單地及以低成本從矽功率電晶體改為採用更高效的氮化鎵場效應電晶體。

EPC9004開發板是一種200 V峰值電壓、2 A最大輸出電流的半橋電路設計，內含EPC2012氮化鎵場效應電晶體，並同時配合德州儀器公司的快速閘極驅動器（UCC27611），從而縮短設計高頻及高效電源系統的時間及減少設計的複雜性。

推出EPC9004開發板的目的是簡化評估高效氮化鎵場效應電晶體的過程,因為這種開發板是塊2英寸x1.5英寸單板,板上集成了所有關鍵元件,因此易於與目前任何轉換器連接。此外，電路板上還備有多個探測點,以便測量簡單的波形和計算效率。隨開發板一起提供的還有一份供客户參考的速查指南，使客户可以更容易使用開發板。

受益于200 V的EPC2012電晶體的應用包括無線電源充電、磁力共振掃描及具低射頻的應用如智慧型儀器表通信設備。

EPC9004開發板的單價為95美元,客戶可以透過DigiKey公司在網上購買,網址為http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。

氮化鎵場效應電晶體的設計資料及技術支援

• EEPC9004速查指南： http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9004_qsg.pdf
• EPC2012及所有宜普氮化鎵器件的數據表,可在這個網頁下載: http://epc-co.com/epc/Products.aspx
• 關於開發板及其它設計支援的資料: http://epc-co.com/epc/products/demo-boards

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的电源管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰追踪、射頻傳送、以太網供電、微型逆變器、高效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com。

客戶在Twitter的網址http://twitter.com/#!/EPC_CORP及Facebook的網址http://www.facebook.com/EPC.Corporation找到EPC，也可以在我們的網頁http://bit.ly/EPCupdates註冊,定期收取EPC公司的最新產品資訊。

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

媒體聯絡人

Winnie Wong ([email protected])

德州儀器公司發佈了一個全新應用於高密度電源轉換器、專門驅動MOSFET及氮化鎵場效應電晶體的低側閘極驅動器(LM5114)。 這個驅動器適用于一系列低侧應用,包括同步整流器及經過功率因數較正的轉換器。加上在2011年推出的業界第一個100V半橋氮化鎵場效應電晶體驅動器(LM5113),這個產品系列提供了完整的隔離DC/DC電源轉換驅動器解決方案,專門驅動應用於電信、網路及資料中心的具大功率輸出特性之氮化鎵場效應電晶體及MOSFET。請瀏覽www.ti.com/gan 以取得詳情、樣片和評估板的資料。

德州儀器推出的國半LM5113 驅動器榮獲美國電子產品雜誌(Electronic Products)之年度最佳產品獎。該著名行業雜誌的讀者皆為電子設計工程師,經過編輯評審過千於2011年發佈的產品,選出在以下各方面表現優勝的產品：創新設計、在技術或應用方面取得重大發展及具成本和性能超卓優勢。

德州儀器推出業界首款針對增強型氮化鎵（GaN）功率場效應電晶體（FET）而優化的驅動器。與標準金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)相比，由於具有較低的導通電阻(RDS(ON))、閘極電荷(QG)以及超小的體積,增強型GaN FET可以實現更高的效率和功率密度，但是要可靠地驅動這類器件也面臨著新的重大挑戰。國半的LM5113驅動積體電路化解了這些挑戰, 使電源設計人員能夠在各種流行的電源拓撲結構中發揮GaN FET的優勢。

“我們衷心祝賀德州儀器榮獲這個殊榮。LM5113橋式驅動器為設計工程師提供一個確實的plug & play解決方案，加速業界採用eGaN ®FET及其普及化。LM5113釋放了eGaN FET的效能優勢，幫助設計工程師實現電源及系統密度方面的全新性能基準。”宜普電源轉換公司首席執行長Alex Lidow 說。

http://www2.electronicproducts.com/Driving_GaN_FETs_becomes_reality-article-poypo_TI_NatSemi_jan2012-html.aspx

We know Efficient Power Conversion (EPC) has commercialized enhancement-mode GaN-on-Si FETs, or eGaN FETs as EPC calls them, for more than a year now. Concurrently, it has been working with partners to realize dedicated drivers for its eGaN FETs, which offer lower RDS(ON) at higher voltages, lower gate charge, and no reverse recovery loss (QRR)—all these properties from a smaller die size than silicon. In essence, by comparison to silicon MOSFETs, the eGaN FETs offer a dramatic reduction in figures of merit or FOM.

By Ashok Bindra
How2Power
June, 2011

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氮化镓(GaN)场效应晶体管作为用于高压电源转换电路的开关器件正在不断蚕食硅基场效应晶体管市场。

By Margery Conner
EDN
June 20, 2011

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National Semiconductor Corp. (NYSE:NSM) today introduced the industry’s first 100V half-bridge gate driver optimized for use with enhancement-mode Gallium-Nitride (GaN) power field-effect transistors (FETs) in high-voltage power converters. Enhancement-mode GaN FETs enable new levels of efficiency and power density compared to standard metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) due to their low on-resistance (Rdson) and gate charge (Qg) as well as their ultra-small footprint, but driving them reliably presents significant new challenges. National’s LM5113 driver integrated circuit (IC) eliminates these challenges, enabling power designers to realize the benefits of GaN FETs in a variety of popular power topologies.

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