Best design practices utilize the advantages offered by eGaN FETs, including printed circuit board (PCB) layout and thermal management. As GaN transistor switching charges continue to decrease, system parasitics must also be reduced to achieve maximum switching speeds and minimize parasitic ringing typical of power converters.

Power Electronics
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與基於傳統MOSFET的設計相比，基於氮化鎵場效應電晶體的負載點降壓轉換器能夠通過優化印刷電路板的版圖而減少寄生電阻，從而提高效率、加快開關速度及減少器件的過沖電壓。

詳情請瀏覽http://powerelectronics.com/gan-transistors/egan-fet-silicon-power-shoot-out-vol-13-part-2-optimal-pcb-layout。

作者：宜普公司產品應用總監David Reusch博士

在不同的應用裡與矽MOSFET器件相比，增強型氮化鎵基電源器件如氮化鎵場效應電晶體展示了它可以實現更高效及更高開關頻率的性能。氮化鎵場效應電晶體具備改善了的開關品質因數，因此封裝及印刷電路板版圖的寄生電感對性能的影響非常重要。在本章及本部分我們將討論在負載點降壓轉換器的應用（工作於開關頻率為1 MHz、輸入電壓為12 V、輸出電壓為1.2 V及輸出電流達20 A的條件下），寄生電感對基於氮化鎵場效應電晶體及MOSFET器件的轉換器在性能方面的影響。

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雜誌 : Power Electronics Technology
作者 : 宜普電源轉換公司應用副總裁Johan Strydom博士
日期 : 2013年1月

我們在之前的文章討論氮化鎵場效應電晶體與矽器件相同之處，並可以利用量度性能的相同標準來評估它。雖然根據大部分的量度標準結果可以看到，氮化鎵場效應電晶體的表現更為優越，但氮化鎵場效應電晶體的體二極管前向電壓比 MOSFET較 高及在死區時間內可以是高功率損耗的元件。體二極管前向導通損耗並不構成在死區時間内產生的全部損耗，而二極管反向恢復及輸出電容損耗也很重要。本章討論管理死區時間及工程師需要把死區時間損耗減至最低。

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