客戶可以在我們的網頁 註冊 ,定期收取最新消息包括全新產品發佈、應用文章及更多其它資訊。如果你錯過了已發佈的消息,你可瀏覽以下的文檔。
In this article, different power loop layouts are analyzed with simultaneous considerations for thermal management and electric parasitics.
The results show that an improved layout can provide a significant reduction in operating temperature rise while maintaining electrical performance benefits.
EE Power
October, 2022
Read Article
閱讀全文
氮化鎵電晶體和積體電路提高了馬達控制應用的功率密度。最佳佈局允許從橋臂分流器或同相分流器獲得沒有振鈴噪聲的輸出開關波形和“乾淨“的電流重建信號。
Bodo’s Power Systems
2021 年 6 月
閱讀文章
閱讀全文
宜普電源轉換公司(EPC)依據《氮化鎵電晶體–高效功率轉換元件》第三版教科書的增訂內容,更新了首7個、合共14個教程的視頻播客,與工程師分享採用氮化鎵場效應電晶體及積體電路的理論、設計基礎及應用,例如雷射雷達(光達)、DC/DC轉換及無線電源等應用。
宜普電源轉換公司(EPC)更新了其廣受歡迎的“如何使用氮化鎵元件”的視頻播客系列。該視頻系列的內容是依據最新出版的《氮化鎵電晶體–高效功率轉換元件》.第三版教科書的內容製作。合共14個教程的視頻播客系列旨在為功率系統設計工程師提供基礎技術知識及針對專有應用的工具套件,從而讓工程師學習如何採用氮化鎵電晶體及積體電路,設計出更高效的功率轉換系統。
閱讀全文
The trend for electronics is to continually push towards miniaturization while increasing performance. With silicon MOSFET technology fast approaching its theoretical limit, enhancement mode gallium nitride (eGaN®) FETs from EPC have emerged to offer a step change improvement in power FET switching performance, enabling next generation power density possibilities by decreasing size and boosting efficiency. This article will explore the recommended layout techniques required to fully extract the benefits of EPC’s eGaN FETs.
By: Ivan Chan & David Reusch, Ph.D.
EEWeb –Modern Printed Circuits
August, 2015
Read Article
閱讀全文
作者:宜普公司產品應用總監David Reusch博士
在不同的應用裡與矽MOSFET器件相比,增強型氮化鎵基電源器件如氮化鎵場效應電晶體展示了它可以實現更高效及更高開關頻率的性能。氮化鎵場效應電晶體具備改善了的開關品質因數,因此封裝及印刷電路板版圖的寄生電感對性能的影響非常重要。在本章及本部分我們將討論在負載點降壓轉換器的應用(工作於開關頻率為1 MHz、輸入電壓為12 V、輸出電壓為1.2 V及輸出電流達20 A的條件下),寄生電感對基於氮化鎵場效應電晶體及MOSFET器件的轉換器在性能方面的影響。
閱讀文章
閱讀全文