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雜誌:Bodo's Power Systems
作者:宜普公司產品品質及可靠性總監馬豔萍博士
摘要:
本文討論了相比功率MOSFET器件,氮化鎵場效應電晶體具有高電子密度和非常低的溫度系數,使它能夠在目前的高性能應用中具有明顯的優勢。 電子密度產生優異的RDS(ON),而正溫度系數防止在晶片內產生發熱點,致使氮化鎵場效應電晶體可以在安全工作區域工作時具有更卓越的性能而不會發生故障。
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氮化鎵場效應電晶體具有正溫度係數, 因而在安全工作區域的電壓及電流等條件的範圍下,它具有更卓越的性能而能夠解決矽MOSFET器件在性能上的限制。
宜普公司將發佈所有氮化鎵場效應電晶體在安全工作區域的資料。該器件具有正溫度系數, 因而在安全工作區域範圍內只有一個小區域受限於器件的平均溫度。
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