新聞

客戶可以在我們的網頁 註冊 ,定期收取最新消息包括全新產品發佈、應用文章及更多其它資訊。如果你錯過了已發佈的消息,你可瀏覽以下的文檔。

Low-Cost Motors Match Premium Motor Drive Performance with eGaN FETs for eBikes, eMotion, Drones, and Robots

Low-Cost Motors Match Premium Motor Drive Performance with eGaN FETs for eBikes, eMotion, Drones, and Robots

The EPC9145 GaN-based inverter enhances the performance of the motor for range, precision, torque, and, as a bonus, eliminates the electrolytic capacitors for lower overall system cost and higher reliability. The extremely small size allows integration into the motor housing for the lowest EMI, highest density, and lowest weight.

EL SEGUNDO, Calif.— November, 2021 — EPC announces the availability of the EPC9145, a 1 kW, 3-phase BLDC motor drive inverter using the EPC2206 eGaN® FET

閱讀全文

基於eGaN FET的2 kW、48V/12V DC/DC轉換器, 讓輕度混合動力汽車實現更高效、更小、更快的雙向轉換器

基於eGaN FET的2 kW、48V/12V DC/DC轉換器, 讓輕度混合動力汽車實現更高效、更小、更快的雙向轉換器

EPC9163是一款兩相48 V/12 V雙向轉換器,可提供2 kW的功率和實現96.5%的效率,是適用於輕度混合動力汽車和備用電池裝置的小型化解決方案。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC9163,這是一款 2 kW、兩相的48 V /12 V雙向轉換器演示板,可在非常小的佔板面積上實現96.5%的效率。該演示板的設計具有可擴展性 – 並聯兩個轉換器可以實現4 kW的功率,或者並聯三個轉換器以實現6 kW。該板採用8個100 V 的eGaN® FET(EPC2218),並由模塊控制,該模塊採用Microchip公司的dsPIC33CK256MP503 16位數位控制器。

閱讀全文

Lidar Demonstration Board Drives Lasers with Currents up to 220 A with Under 3-ns Pulses using eGaN FETs

Lidar Demonstration Board Drives Lasers with Currents up to 220 A with Under 3-ns Pulses using eGaN FETs

The ultra-fast transition EPC2034C eGaN® FETs used on the EPC9150 enables high current pulses up to 220 A and pulse widths under 3 ns, thus allowing a lidar system to see farther, faster, and better.

EL SEGUNDO, Calif.— March 2021 — Efficient Power Conversion  (EPC) announces the availability of the EPC9150, a 200 V, high current, pulsed-laser diode driver demonstration board. In a lidar system, used to create 3-D maps for autonomous vehicle applications, speed and accuracy of object detection is critical. As demonstrated by this board, the rapid transition capability of the EPC2034C eGaN FETs provide power pulses to drive the laser diodes, VCSELs or LEDs up to ten times faster than an equivalent MOSFET and in a small fraction of the area, energy, and cost. Thus, enhancing the overall performance, including accuracy, precision, and processing speed as well as the price of a lidar system.

閱讀全文

宜普電源轉換公司(EPC)推出基於車規級氮化鎵(eGaN )技術的飛行時間(ToF)演示板,可在高達28 A並具1.2納秒脈寬的脈衝電流驅動雷射

宜普電源轉換公司(EPC)推出基於車規級氮化鎵(eGaN )技術的飛行時間(ToF)演示板,可在高達28 A並具1.2納秒脈寬的脈衝電流驅動雷射

EPC9144演示板內的車規級EPC2216氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)可支援大電流納秒脈衝的應用,提供高速的大電流脈衝 – 電流可高達28 A、脈寬则可低至1.2納秒,從而使得飛行時間及flash雷射雷達系統更準確、更精確及更快速。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出15 V、28 A大電流脈衝雷射二極體驅動電路板(EPC9144)。

閱讀全文

宜普電源轉換公司(EPC)推出100 V、尺寸比等效矽元件小30倍及工作在500 kHz頻率時可實現97%效率的氮化鎵(eGaN)功率電晶體

宜普電源轉換公司(EPC)推出100 V、尺寸比等效矽元件小30倍及工作在500 kHz頻率時可實現97%效率的氮化鎵(eGaN)功率電晶體

專為功率系統設計師而設的EPC2051功率電晶體是一種100 V、25 mΩ並採用超小型晶片級封裝的電晶體,可實現37 A脈衝輸出電流。EPC2051是多種應用的理想元件,包括48 V功率轉換器、雷射雷達及LED照明等應用。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出100 V的EPC2051氮化鎵場效應電晶體,其佔板面積只是1.1平方毫米、最大導通阻抗(RDS(on))為25 mΩ及脈衝輸出電流高達37 A 以支援高效功率轉換。

閱讀全文

EPC Introduces 350 V eGaN Power Transistor − 20 Times Smaller Than Comparable Silicon

EPC Introduces 350 V eGaN Power Transistor − 20 Times Smaller Than Comparable Silicon

The EPC2050 offers power systems designers a 350 V, 65 mΩ, 26 A power transistor in an extremely small chip-scale package.  These new devices are ideal for applications such as multi-level converters, EV charging, solar power inverters, and motor drives.

EL SEGUNDO, Calif. — April 2018 — Efficient Power Conversion announces the EPC2050, a 350 V GaN transistor with a maximum RDS(on) of 65 mΩ and a 26 A pulsed output current. Applications include EV charging, solar power inverters, motor drives, and multi-level converter configurations, such as a 3-level, 400 V input to 48 V output LLC converter for telecom or server power supplies.

閱讀全文

同時對手機及筆記型電腦進行無線充電 – EPC公司推出與AirFuel聯盟第四級別(Class 4)規格相容的無線充電演示套件,可對應用提供高達33 W功率

同時對手機及筆記型電腦進行無線充電 – EPC公司推出與AirFuel聯盟第四級別(Class 4)規格相容的無線充電演示套件,可對應用提供高達33 W功率

具備卓越性能的氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET),例如低輸出電容、低輸入電容、低寄生電感及小型化,成為高度共振式並與AirFuel標準相容的無線充電系統的理想元件,可提高效率。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出與AirFuel聯盟第四級別(Class 4)規格相容的無線充電套件(EPC9120)。該系統可對應用提供高達33 W功率而同時工作在6.78 MHz頻率(最低ISM頻段),旨在於高效無線充電應用中,簡化對所採用的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)進行評估。EPC9120採用具備高頻開關性能的EPC氮化鎵電晶體,使得無線充電系統可以在不同的工作條件下,實現80%至90%的效率。

閱讀全文

EPC eGaN技術在性能及成本上實現質的飛躍

EPC eGaN技術在性能及成本上實現質的飛躍

EPC公司宣佈推出EPC2045及EPC2047氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET),對比前一代的產品,這些電晶體的尺寸減半,而且性能顯著提升。

全球增强型氮化鎵電晶體領袖廠商、致力於開發創新的矽基功率場效應電晶體(eGaN FET)及積體電路的宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出全新的EPC2045 (7 mΩ、100 V)及EPC2047(10 mΩ、200 V)電晶體,在提升產品性能的同時也可以降低成本。100 V的EPC2045應用於開放式服務器架構以實現48 V至負載的單級電源轉換、負載點(POL)轉換器、USB-C及 雷射雷達(LiDAR)等應用。200 V的EPC2047的應用例子包括無綫充電、多級AC/DC電源供電、機械人應用及太陽能微型逆變器

閱讀全文

宜普電源轉換公司的7 mΩ、200 V及5 mΩ、150 V氮化鎵功率電晶體可以進一步擴大與其他元件相比的績效差距

宜普電源轉換公司的7 mΩ、200 V及5 mΩ、150 V氮化鎵功率電晶體可以進一步擴大與其他元件相比的績效差距

eGaN®功率電晶體在功率轉換領域繼續實現更高的性能。該電晶體系列具備更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及優越的散熱性能,從而實現具備更高的功率密度的轉換器。

宜普電源轉換公司宣佈推出兩個可以提高電源轉換效率的eGaN FET。這些產品的工作溫度最高達150°C。150 V的EPC2033的脉衝電流爲260 A及200 V的EPC2034的脉衝電流爲140 A。應用範圍包括DC/DC轉換器、DC/DC與AC/DC轉換器的同步整流應用、馬達驅動器、LED照明及工業自動化等應用。

閱讀全文

宜普電源轉換公司(EPC)推出單片式氮化鎵半橋功率電晶體, 可推動48 V轉12 V降壓轉換器在20 A輸出電流下實現超過97%的系統效率

宜普電源轉換公司(EPC)推出單片式氮化鎵半橋功率電晶體, 可推動48 V轉12 V降壓轉換器在20 A輸出電流下實現超過97%的系統效率

宜普電源轉換公司推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)半橋式電晶體,進一步擴展其獲獎的氮化鎵功率電晶體產品系列。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)增強型單片式氮化鎵半橋元件。透過集成兩個eGaN®功率場效應電晶體而成為單個元件可以除去印刷電路板上元件之間的相連電感及空隙,使電晶體的占板面積減少50%。

閱讀全文

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出面向高頻應用的 450 V增强型氮化鎵功率電晶體

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出面向高頻應用的 450 V增强型氮化鎵功率電晶體

宜普電源轉換公司爲功率系統設計師提供一款具備4奈秒上升時間特性的450 V氮化鎵場效應功率電晶體(EPC2027 eGaN®)並面向高頻直流-直流轉換器及醫療診斷儀器的應用。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出450 V並通常處於關斷狀態的增强型功率電晶體(EPC2027),可用於需要高頻開關的應用,從而實現更高的效率及功率密度。受惠於採用高壓並具備更快速開關特性的元件的應用包括超高頻直流-直流轉換器、醫療診斷儀器、太陽能功率逆變器及發光二極管照明等應用。

閱讀全文

宜普電源轉換公司(EPC)推出專爲電訊、工業及醫療應用而設、具寬泛的輸入電壓範圍、20 A輸出電流並基於氮化鎵電晶體的降壓轉換器演示板

宜普電源轉換公司(EPC)推出專爲電訊、工業及醫療應用而設、具寬泛的輸入電壓範圍、20 A輸出電流並基於氮化鎵電晶體的降壓轉換器演示板

EPC9118演示板展示採用具高頻開關優勢、電源電壓在48 V或以上的氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)可易於實現更小型及具更高效率的電源轉換解决方案。

宜普電源轉換公司推出全功能降壓型功率轉換演示電路 --EPC9118演示板,可支持30 V至60 V輸入電壓並转至5 V、 具20 A最高輸出電流及400 kHz頻率的降壓轉換器。它採用EPC2001 及EPC2015增强型氮化鎵(eGaN®)場效應電晶體(FET)及LTC3891降壓控制器。這個降壓轉換器設計是電訊、工業及醫療應用所需的配電解决方案的理想設計。

閱讀全文

宜普電源轉換公司(EPC)的高性能氮化鎵功率電晶體 進一步拋離日益陳舊的功率MOSFET並已有現貨供應

氮化鎵(eGaN®)功率電晶體繼續爲電源轉換應用設定業界領先的性能基準。由於氮化鎵器件具有更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能,因此使得功率轉換器可實現超過98%的效率。

客戶要在Twitter取得這個推文,請在Twitter使用「http://bit.ly/EPCXLPR1407」及標簽「#GaNFET」。

宜普電源轉換公司宣佈推出六個新一代功率電晶體及相關的開發板。這些由30 V至200 V的産品在很多應用可大大降低導通電阻(RDS(on))並可增强輸出電流性能,例如具高功率密度的直流-直流轉換器、負載點(POL)轉換器、直流-直流及交流-直流轉換器的同步整流器、馬達驅動器、發光二極管照明及工業自動化等廣闊應用。

全新氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)及相關開發板

宜普産品型號 電壓 最高導通電阻
RDS(on) (mΩ)
(VGS = 5 V)
最小脉衝電流峰值
Peak Pulsed
ID (A) (25°C,
脉衝電流導通時間
Tpulse = 300 µs)
TJ (°C) 半橋開發板
          標準 低占空比
EPC2023 30 1.3 590 150 EPC9031 EPC9018
EPC2024 40 1.5 550 150 閱讀全文

宜普電源轉換公司推出採用高頻氮化鎵(eGaN)場效應電晶體 並工作在6.78 MHz頻率的高效無線電源傳送演示系統

由於氮化鎵場效應電晶體具備卓越性能例如低輸出電容、低輸入電容、低寄生電感及尺寸短小,它是高度諧振並符合Rezence (A4WP)規格的無線電源傳送系統的理想器件,可提高該系統的效率。

宜普電源轉換公司宣佈推出採用創新、高性能零電壓開關( ZVS) D類放大器拓撲、支援無線電源轉換應用的演示板:EPC9506EPC9507演示板。該板為放大器(發射)演示板,使用宜普公司具高頻開關性能的氮化鎵電晶體,使得無線電源系統可實現超過75%效率。

閱讀全文

宜普電源轉換公司推出專為大電流及具高降壓比轉換器應用而設的開發板

EPC9016開發板內含40 V增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET),是一種25 A最大輸出電流並採用並聯配置的電路設計,可提高電流能力達67%,其最優版圖技術可實現最優化效率。

宜普電源轉換公司宣佈推出EPC9016採用半橋式配置的開發板,專為採用氮化鎵場效應電晶體的大電流、高降壓比、降壓中間匯流排轉換器(IBC)應用而設。與採用單一高側(控制)場效應電晶體相比,我們並聯了兩個低側(同步整流器)場效應電晶體使得傳導時間更長。

閱讀全文

宜普電源轉換公司(EPC)領先業界的基於氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)的開發板在中國榮獲2013年度獎項

基於40V氮化鎵場效應電晶體(EPC2014)的EPC9005開發板旨在幫助工程師于短時間內設計具備高頻開關性能的電源轉換系統

宜普公司宣佈EPC9005開發板在中國榮獲兩個媒體頒發2013年度獎項,分別為今日電子雜誌頒發2013年度十大電源產品獎的“優化開發獎”及EDN China雜誌頒發2013年度中國創新獎的“優秀產品獎”。

“我們感到非常榮幸我司的產品得到今日電子雜誌及EDN China雜誌頒發業界年度獎項,表彰我們在技術創新方面所做出的努力。基於40 V氮化鎵場效應電晶體(EPC2014)的EPC9005開發板可幫助工程師于短時間內設計具備高頻開關性能的電源轉換系統。EPC9005開發板是一種已製作好及易於連接的開發板,並備有完善歸檔的技術支援資料,使工程師可輕鬆地利用氮化鎵場效應電晶體設計產品。在此我們再次感謝媒體朋友及工程師一直以來對我們的支持!”宜普公司首席執行長 Alex Lidow說。

閱讀全文

宜普電源轉換公司推出內含氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)的八分之一磚直流-直流電源轉換器演示板

EPC9102充分展示了EPC2001 eGaN FET及德州儀器LM5113 eGaN FET驅動器的組合所能達到的優異性能。

宜普電源轉換公司宣佈推出EPC9102演示板,這是一個全功能的八分之一磚轉換器演示板。這塊電路板就是一個36V-60V輸入、12V輸出、375kHz相移全橋(PSFB)式八分之一磚轉換器,最大輸出電流為17A。該演示板內含100V EPC2001 eGaN FET及德州儀器專為驅動eGaN FET而設的半橋柵極驅動器(LM5113)。

LM5113是業界首款能夠最佳驅動增強型氮化鎵FET、並且能夠充分發揮這種FET優勢的驅動器。EPC9102演示板展示了當eGaN FET配合德州儀器LM5113 eGaN FET驅動器,可以實現eGaN FET的高開關頻率性能。

這種轉換器的結構符合標準八分之一磚的外形尺寸和高度 (2.300" x 0.900" x 0.400")要求。儘管這個尺寸比較小,但整個電路板在36V輸入電壓、10A輸出電流條件下,可以達到94.8%的峰值功效。

EPC9102演示電路的設計用於展示使用eGaN FET在375kHz工作時、 能夠實現得到的尺寸和性能、 而設計本身並沒有針對最大輸出功率進行優化。其工作頻率大約比同類商用的八分之一磚直流-直流電源轉換器高出50%至100%。

EPC9102演示板的尺寸特別是過大的尺寸,這是方便電源系統設計工程師連接相關的評估平臺。演示板上有許多探測點,便於測量簡單波形和計算效率。EPC9102演示板可用在低環境溫度和強制空冷條件下的基準評估。

隨EPC9102演示板一起提供的,還有一份供使用者參考和易於使用的快速入門指南: http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9102_qsg.pdf

EPC9102演示板單價為306.25美元,客戶可以透過DigiKey公司在網上購買,網址為: http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

EPC eGaN FET 及德州儀器的LM5113 設計工具指南

eGaN FET 設計資訊及支援

宜普公司简介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰跟踪、乙太網供電、太陽能微型逆變器、能效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw 。

客戶在Twitter的網址http://twitter.com/#!/EPC_CORP可以找到EPC,也可以在我們的網頁http://bit.ly/EPCupdates 申請定期收取EPC最新產品資訊。

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

媒體聯絡人

Winnie Wong ([email protected])

閱讀全文

宜普電源轉換公司推出內含氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的降壓電源轉換演示板

EPC9101演示板使用具高頻開關優勢的eGaN功率電晶體,可減小降壓電源轉換器尺寸和提高效率

EPC9101是一款全功能的降壓電源轉換器演示電路,實現8V-19V輸入、1.2V電壓、18A最大電流輸出及1MHz降壓轉換器,使用的元件包括EPC2014和EPC2015 eGaN FET,並配合德州儀器公司最近推出的的100V半橋柵極驅動器(LM5113)。LM5113是業界首款專為增強型氮化鎵場效應電晶體而設計的驅動器。EPC9101演示高開關頻率eGaN FET與這個匹配的驅動器,可減小降壓電源轉換器尺寸和提高其性能。

閱讀全文
RSS